[实用新型]用于控制晶闸管或双向可控硅的电路和负载控制电路

权利要求书

1.一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，包括：

第一电容性元件，在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接，连接节点形成在所述第一电容性元件和所述第一二极管的互连处，所述第二端子被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的栅极；

第二电容性元件，耦合在所述第二端子和第三端子之间，所述第三端子被配置为连接到所述晶闸管或双向可控硅的栅极侧的所述晶闸管或双向可控硅的第一传导端子；以及

第二二极管，耦合在所述第一电容性元件和所述第一二极管的所述连接节点与所述第三端子之间。

2.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第一二极管的阴极耦合到所述第二端子。

3.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第二二极管的阳极耦合到所述第三端子。

4.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括第三电容性元件，其具有连接到所述第三端子的第一电极。

5.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括插入在所述第二端子和节点之间的电阻性元件，所述节点被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的所述栅极。

6.根据权利要求4所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述晶闸管或双向可控硅包括所述第一传导端子和第二传导端子，所述第二传导端子被配置为接收具有振幅和频率的AC电压，所述电路进一步包括放大器，所述放大器耦合到所述第一端子并且被配置为在所述第一端子上提供脉冲串，所述脉冲串具有小于所述AC电压的所述振幅的振幅并且具有大于所述AC电压的所述频率的频率。

7.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括耦合到所述放大器的振荡器和微控制器中的一个。

8.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第三电容性元件包括第二电极，所述第二电极被配置为接收与所述脉冲串相关联的参考电位。

9.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第一电容性元件被配置为承受所述AC电压。

10.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第三电容性元件被配置为承受所述AC电压。

11.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述晶闸管是阴极-栅极晶闸管。

12.一种负载控制电路，其特征在于，包括：

负载；

至少一个晶闸管，耦合到所述负载；以及

至少一个控制电路，耦合到所述至少一个晶闸管，每个控制电路包括：

第一电容性元件，在第一节点和第二节点之间与第一二极管串联耦合，连接节点形成在所述第一电容性元件和所述第一二极管的互连处，所述第二节点被配置为耦合到所述晶闸管的栅极；

第二电容性元件，耦合在所述第二节点和第三节点之间，所述第三节点被配置为耦合到所述晶闸管的栅极侧的所述晶闸管的第一导电节点；

第二二极管，耦合在所述第一电容性元件和所述第一二极管的所述连接节点与所述第三节点之间；以及

脉冲发生电路，耦合到所述第一节点，所述脉冲发生电路被配置为在所述第一节点上提供包括具有振幅和频率的多个脉冲的信号，包括所述多个脉冲的所述信号的所述振幅小于跨所述晶闸管的所述第一导电节点和第二导电节点的交流电压信号的振幅，并且包括所述多个脉冲的所述信号的所述频率大于跨所述晶闸管的所述第一导电节点和所述第二导电节点的所述交流电压信号的频率。