[实用新型]一种用于离子注入机的校对装置

说明书

本实用新型公开了一种用于离子注入机的校对装置，包括机壳和2XZ‑1型真空泵，机壳顶部一侧对应冲压的两个凹槽内部对应安装有两组离子源系统，机壳内侧在两组离子源系统正下方安装有放电室，机壳内侧在引出缝的正下方水平安装有抑制电极，本实用新型，利用校对机构内的Y80M1‑2型驱动电机驱动丝杆转动，由丝杆的转动驱动丝杆螺母移动，丝杆螺母的移动调整校对靶的位置，便于获得校对离子束移动轨迹，控制离子束的注入位置，提高离子注入质量；利用净化机构内部的MQ23120H型电磁铁工作吸附离子束内部的金属离子，提高离子注入的质量；利用校对靶表面刻画的多个分区，便于准确的获得离子束的移动轨迹，便于校对离子注入位置。

技术领域

本实用新型涉及校对装置相关技术领域，具体为一种用于离子注入机的校对装置。

背景技术

高能离子注入的优势多样性：原则上任何元素都可以作为注入离子；形成的结构可不受热力学参数(扩散、溶解度等)限制；不改变：不改变工件的原有尺寸和粗糙度等；适合于各类精密零件生产的最后一道工序；牢固性：注入离子直接和材料表面原子或分子结合，形成改性层，改性层和基底材料没有清晰的界面，结合牢靠，不存在脱落的现象；不受限：注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行；可对那些普通方法不能处理的材料进行表面强化，如塑料、回火温度低的钢材等。半导体进行加工时需要使用到离子注入机。现缺少离子注入机的校对装置，不能保证离子注入的位置，影响注入质量，同时离子束内部混杂的金属离子严重影响成品质量。为此本实用新型提出一种用于离子注入机的校对装置用于解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于离子注入机的校对装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于离子注入机的校对装置，包括机壳和2XZ-1型真空泵，所述机壳顶部一侧对应冲压的两个凹槽内部对应安装有两组离子源系统，所述机壳内侧在两组离子源系统正下方安装有放电室，所述机壳内侧在放电室的正下方开设为引出缝，所述机壳内侧在引出缝的正下方水平安装有抑制电极，所述机壳内侧在抑制电极的正下方水平安装有地电极，所述机壳内侧在地电极的正下方布设为真空室，所述机壳内侧在真空室的正下方嵌合安装有阀门，所述机壳内侧在阀门的正下方设置为靶室，所述靶室底部远离阀门的一侧安装有2XZ-1型真空泵，所述靶室内部相对应于阀门的位置水平安装有校对机构，所述机壳在真空室外侧的两侧对应安装有两组净化机构，所述校对机构包括校对靶、丝杆、丝杆螺母、ZSY500减速器和 Y80M1-2型驱动电机，所述校对靶竖直焊接固定在丝杆螺母的顶部，所述丝杆螺母螺纹连接丝杆，所述丝杆的一端连接ZSY500减速器的输出轴，所述ZSY500 减速器的输入轴连接Y80M1-2型驱动电机的输出轴。

优选的，所述校对机构还包括机架、SH180*1480型液压缸、滑座、滑轨和底板，所述机架的内侧对应安装有ZSY500减速器和Y80M1-2型驱动电机，所述机架顶部的中心位置连接SH180*1480型液压缸的活塞杆末端，所述SH180*1480 型液压缸竖直安装在靶室的外侧，所述滑座的一侧转动连接丝杆的另一端，所述滑座滑动安装在滑轨的一侧，所述滑轨的顶端螺栓连接靶室外侧的底部，所述底板水平焊接在丝杆螺母顶部的外侧。

优选的，所述靶室的底部对应于校对靶的位置开设有条形孔，所述校对靶穿过条形孔，所述条形孔的长度等于底板长度的四分之一。

优选的，所述净化机构包括保护壳、MQ23120H型电磁铁和陶瓷板，所述 MQ23120H型电磁铁水平安装在保护壳的内部，所述陶瓷板竖直安装在保护壳的一侧。

优选的，所述MQ23120H型电磁铁的铁芯一端与陶瓷板的一侧相接触，所述保护壳一端开口而另一单密封且陶瓷板嵌合在开口内侧，所述陶瓷板的另一侧与机壳外表面相接触。

优选的，所述2XZ-1型真空泵连通靶室内部，所述靶室内部相对应于阀门的位置焊接有靶片底座。