[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型公开一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，通过叉指型栅极和叉指型遮光层之间电连接以及叉指型栅极设计的配合，以增加沟道的宽度，在保持单个薄膜晶体器件的总沟道宽/长为W_总/L不变时，增加的沟道宽度可以使沟道所占用的沟道层的宽度减小而保持单个薄膜晶体管总沟道宽度不变，使得单个薄膜晶体管器件所占面积减小，从而提高沟道层的利用率，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)器件是液晶显示器中十分重要的电子元器件，液晶显示器内部各种控制电路均由其构成。图1为现有液晶显示器中广泛使用的薄膜晶体管器件的截面结构，该薄膜晶体管存在所占器件面积太大，导致制造成本增加的问题。

因此，有必要提出一种技术方案以解决现有薄膜晶体管所占器件面积太大导致制造成本增加的问题。

实用新型内容

鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，以解决现有薄膜晶体管所占器件面积太大导致制造成本增加的问题。

为实现上述目的，技术方案如下。

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

叉指型遮光层，所述叉指型遮光层形成于衬底上；

缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上；

沟道层，所述沟道层形成于所述缓冲层上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上；

叉指型栅极，所述叉指型栅极形成于所述第一绝缘层上且位于所述叉指型遮光层的上方；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述叉指型栅极和所述第一绝缘层上；

至少一个第一电极及至少两个第二电极，所述第一电极和所述第二电极覆盖形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔以与所述沟道层连接，所述第二电极位于所述叉指型栅极的两侧，所述第二电极与所述第一电极间隔地设置；

其中，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极电连接。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述叉指型栅极沿第一方向的投影与所述叉指型遮光层重叠，所述第一方向为垂直于所述衬底所在水平面且由所述叉指型栅极指向所述叉指型遮光层的方向。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极通过导电层连接。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述导电层为从所述叉指型栅极上延伸出且覆盖所述缓冲层上过孔的栅极线。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述缓冲层包括依次覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上的氮化硅层和氧化硅层，所述第一绝缘层包括依次覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上的氧化硅层和氮化硅层。

一种显示面板，所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

叉指型遮光层，所述叉指型遮光层形成于衬底上；

缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上；

沟道层，所述沟道层形成于所述缓冲层上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上；

叉指型栅极，所述叉指型栅极形成于所述第一绝缘层上且位于所述叉指型遮光层的上方；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述叉指型栅极和所述第一绝缘层上；