[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201821610992.X | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN208737167U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王川 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单个薄膜 叉指型 沟道 薄膜晶体管阵列基板 显示面板 沟道层 总沟道 本实用新型 晶体管器件 晶体器件 宽度减小 面积减小 电连接 遮光层 晶体管 占用 配合 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
叉指型遮光层，所述叉指型遮光层形成于衬底上；
缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上；
沟道层，所述沟道层形成于所述缓冲层上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上；
叉指型栅极，所述叉指型栅极形成于所述第一绝缘层上且位于所述叉指型遮光层的上方；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述叉指型栅极和所述第一绝缘层上；
至少一个第一电极及至少两个第二电极，所述第一电极和所述第二电极覆盖形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔以与所述沟道层连接，所述第二电极位于所述叉指型栅极的两侧，所述第二电极与所述第一电极间隔地设置；
其中，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极电连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述叉指型栅极沿第一方向的投影与所述叉指型遮光层重叠，所述第一方向为垂直于所述衬底所在水平面且由所述叉指型栅极指向所述叉指型遮光层的方向。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极通过导电层连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述导电层为从所述叉指型栅极上延伸出且覆盖所述缓冲层上过孔的栅极线。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述缓冲层包括依次覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上的氮化硅层和氧化硅层，所述第一绝缘层包括依次覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上的氧化硅层和氮化硅层。
6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
叉指型遮光层，所述叉指型遮光层形成于衬底上；
缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上；
沟道层，所述沟道层形成于所述缓冲层上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上；
叉指型栅极，所述叉指型栅极形成于所述第一绝缘层上且位于所述叉指型遮光层的上方；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述叉指型栅极和所述第一绝缘层上；
至少一个第一电极及至少两个第二电极，所述第一电极和所述第二电极覆盖形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔以与所述沟道层连接，所述第二电极位于所述叉指型栅极的两侧，所述第二电极与所述第一电极间隔地设置；
其中，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述叉指型栅极沿第一方向的投影与所述叉指型遮光层重叠，所述第一方向为垂直于所述衬底所在水平面且由所述叉指型栅极指向所述叉指型遮光层的方向。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述叉指型遮光层与所述叉指型栅极通过导电层连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述导电层为从所述叉指型栅极上延伸出且覆盖所述缓冲层上过孔的栅极线。
10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层包括依次覆盖在所述叉指型遮光层和所述衬底上的氮化硅层和氧化硅层，所述第一绝缘层包括依次覆盖在所述沟道层和所述缓冲层上的氧化硅层和氮化硅层。
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