[实用新型]一种紧凑型高速光电二极管

说明书

本实用新型涉及一种紧凑型高速光电二极管，包括衬底，以及形成于所述衬底上的正电极环、负电极环、正电极和负电极，所述负电极环上设置有开口，所述负电极与所述负电极环的一端连接；所述正电极环设于负电极环内；所述正电极通过所述开口与所述正电极环连接；所述正电极和负电极位于所述负电极环的同一侧。本实用新型提供的技术方案通过将紧凑型高速光电二极管的正电极与负电极设置在电极环的同一侧，使得二极管的尺寸减小,从而减小占用封装的空间尺寸，使得封装更加小型化、集成化。

技术领域

本实用新型涉及一种二极管，尤其涉及一种紧凑型高速光电二极管。

背景技术

随着科学技术的发展，在信号传输和存储等环节中，越来越多地应用光信号。光电子系统具有抗干扰能力较强、传送信息量大、传输损耗小等突出优点，光电二极管是光电子系统的电子器件。光电二极管是一种能够将光根据使用方式转换成电流或者电压信号的光探测器。现有的光电二极管芯片的电极采用左右结构设计，左侧为芯片正电极，右侧为芯片负电极，这样导致芯片长度较长。正电极焊盘和负电极焊盘位于芯片的相对两侧，不利于后续焊线工艺，又增加了金线长度，也不利于现有小型化、集成化封装的应用。

因此，需要提供一种紧凑型高速光电二极管来解决现有技术的不足。

实用新型内容

为了解决现有技术存在的问题，本实用新型提供了一种紧凑型高速光电二极管，将二极管的尺寸缩小1/3,从而减小占用封装的空间尺寸，使得封装更加小型化、集成化。

一种紧凑型高速光电二极管，包括衬底，以及形成于所述衬底上的正电极环、负电极环、正电极和负电极，所述负电极环上设置有开口，所述负电极与所述负电极环的一端连接；所述正电极环设于负电极环内；所述正电极通过所述开口与所述正电极环连接；所述正电极和负电极位于所述负电极环的同一侧。

进一步的，所述正电极和负电极均为圆形，所述正电极和负电极的圆心距离小于所述负电极环的直径。

进一步的，所述正电极和负电极的直径均大于50um且小于80um。

进一步的，所述正电极环与负电极环同心设置，所述正电极环的环宽度小于等于10um，外径小于70um；所述负电极环的环宽度小于等于10um；所述正电极环的外径与负电极环的内径的距离大于5um且小于20um。

进一步的，还包括：形成于所述衬底上的缓冲层，形成于所述缓冲层上的吸收层，形成于所述吸收层上的顶层，形成于所述顶层上的接触层，形成于所述顶层上的有源区，形成于所述顶层上的第一复合钝化膜，以及形成于所述衬底、缓冲层、吸收层、顶层、第一复合钝化膜和有源区上的增透膜。

进一步的，所述负电极环形成于所述缓冲层上，所述负电极形成于所述增透膜和负电极环上，所述正电极环形成于所述接触层上，所述正电极形成于所述增透膜和正电极环上。

进一步的，所述衬底的厚度大于2um，所述缓冲层的厚度大于2um且小于5um，所述吸收层的厚度大于0.5um且小于3um，所述顶层的厚度大于0.5um且小于2um，所述接触层的厚度大于0.1um且小于0.5um。

进一步的，所述第一复合钝化膜的厚度大于0.1um且小于1um。

进一步的，所述增透膜的厚度大于0.1um且小于0.5um。

进一步的，所述有源区的形状为圆形，其直径大于20um且小于40um，所述有源区的厚度大于1um且小于1.5um。

进一步的，还包括：形成于所述衬底底部的焊接层。

进一步的，所述吸收层、顶层和接触层形成正电极圆柱形台面结构，所述缓冲层形成负电极圆柱形台面结构；

所述正电极圆柱形台面、负电极圆柱形台面和有源区同心设置。