[实用新型]一种硅片翻转装置有效
申请号: | 201821565276.4 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN208903986U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 费存勇;赵福祥;崔钟亨 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转盘 硅片 硅片翻转装置 本实用新型 驱动装置 轨道 送出 转轴 匹配 送入 背面接触 不良问题 电池效率 感应装置 硅片表面 局部复合 控制装置 效率增益 有效解决 中间设置 转盘转动 翻转 卡槽 良率 背面 摩擦 电池 生产 | ||
本实用新型公开了一种硅片翻转装置,包括送入轨道、送出轨道、位于所述送入轨道与送出轨道之间的转盘、带动所述转盘转动的驱动装置以及进料感应装置和控制装置,所述转盘上开设有与硅片相匹配的卡槽,所述转盘的中间设置有与所述驱动装置连接的转轴,所述转盘包括设置在所述转轴上的第一转盘和第二转盘,所述第一转盘和第二转盘上对应的所述卡槽之间的距离与所述硅片的宽度相匹配。本实用新型的硅片翻转装置能够实现硅片的翻转,避免了对硅片表面的摩擦,有效的将背面接触改为正面接触,有效解决PERC电池的EL不良问题,提升了硅片生产的良率和电池效率,同时又可以有效的降低背面局部复合,带来硅片的效率增益。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池制造技术领域,具体涉及一种用于改善PERC 电池背面EL皮带印的硅片翻转装置。
背景技术
太阳能光伏发电,由于其具有清洁、安全、便利及高效等特点,已成为全世界普遍关注和重点发展的新兴产业。随着光伏技术不断的发展,作为将太阳能转化为电能的半导体器件的太阳能电池产品得到了快速的开发,同时也促进了半导体科学技术的飞速发展,使得硅片广泛地应用于现代社会的各行各业。因此,硅片的需求量不断加大,生产加工量不断攀升,随之形成大规模流水生产。
目前在大部分PERC电池生产中,电池的背面由于与氧化铝直接接触,较掺杂面更需要保护,现有大部分工艺选择刻蚀后抛光面朝下,与传送皮带之间存在严重的摩擦,被摩擦的区域由于污染或微观绒面的变化,在进一步沉积氧化铝过程中,该局部区域的沉积较差,钝化力度不够,复合速率增加。这种影响最直接的体现就是,在EL(电致发光,Electroluminescent)下显示为两条黑色皮带印。该问题一方面降低了PERC电池的优良率,另一方面,由于皮带印处的少子复合加重,导致转换效率受到一定的影响。
发明内容
有鉴于此,为了克服现有技术的缺陷,本实用新型的目的是提供一种硅片翻转装置,其能够实现硅片的翻转,且避免了对硅片表面的摩擦,提升了硅片生产的良率和电池效率。
为了达到上述目的,本实用新型采用以下的技术方案:
一种硅片翻转装置,包括送入轨道、送出轨道、位于所述送入轨道与送出轨道之间的转盘、带动所述转盘转动的驱动装置以及进料感应装置和控制装置,所述转盘上开设有与硅片相匹配的卡槽,所述转盘的中间设置有与所述驱动装置连接的转轴,所述转盘包括设置在所述转轴上的第一转盘和第二转盘,所述第一转盘和第二转盘上对应的所述卡槽之间的距离与所述硅片的宽度相匹配。硅片的宽度即垂直于送入轨道或送出轨道方向上的长度;硅片的长度即平行于送入轨道或送出轨道方向上的长度。通过送入轨道将硅片送入转盘中,通过卡槽固定住硅片并通过转盘带动硅片转动,硅片转动了180°后通过送出轨道将硅片从卡槽中取出,实现了硅片的翻转。
优选地,所述送入轨道和送出轨道位于所述第一转盘和第二转盘之间,即第一转盘和第二转盘之间的间距大于送入轨道或送出轨道的宽度,转盘的卡槽卡住的是硅片的边缘。
优选地,所述转盘上均匀分布有凸起,相邻所述凸起之间形成容纳所述硅片边缘的卡槽,卡槽用于卡住硅片的边缘,不会对硅片表面的中间造成影响,提升了最终硅片的质量。
更加优选地,所述卡槽的纵向深度为所述硅片长度的0.5-1倍。卡槽的纵向深度太深会导致硅片翻转后较难被送出轨道的皮带带出,太浅会导致硅片在转动时由于受力不均碎片或甩出。如在一些实施例中,硅片的尺寸为 156mm*156mm,则转盘直径设置为170mm,厚度约15mm,卡槽纵向深度约为 80mm,横向深度即凸起的高度约为5mm,间隙高度即相邻凸起之间的距离约为3mm。
优选地,所述转盘上均匀分布有12个卡槽,相邻所述卡槽之间的夹角为 30°,两侧卡槽的位置一一对应,即在转盘转动过程中,最多可以缓存7片硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造