[实用新型]一种硅片翻转装置有效
申请号: | 201821565276.4 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN208903986U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 费存勇;赵福祥;崔钟亨 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转盘 硅片 硅片翻转装置 本实用新型 驱动装置 轨道 送出 转轴 匹配 送入 背面接触 不良问题 电池效率 感应装置 硅片表面 局部复合 控制装置 效率增益 有效解决 中间设置 转盘转动 翻转 卡槽 良率 背面 摩擦 电池 生产 | ||
1.一种硅片翻转装置,其特征在于:包括送入轨道、送出轨道、位于所述送入轨道与送出轨道之间的转盘、带动所述转盘转动的驱动装置以及进料感应装置和控制装置,所述转盘上开设有与硅片相匹配的卡槽,所述转盘的中间设置有与所述驱动装置连接的转轴,所述转盘包括设置在所述转轴上的第一转盘和第二转盘,所述第一转盘和第二转盘上对应的所述卡槽之间的距离与所述硅片的宽度相匹配。
2.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述送入轨道和送出轨道位于所述第一转盘和第二转盘之间。
3.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述转盘上均匀分布有凸起,相邻所述凸起之间形成容纳所述硅片边缘的卡槽。
4.根据权利要求3所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述卡槽的纵向深度为所述硅片长度的0.5-1倍。
5.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述转盘上均匀分布有12个卡槽,相邻所述卡槽之间的夹角为30°。
6.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述驱动装置包括步进电机,所述步进电机的平均频率为30Hz-40Hz。
7.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述转盘的材质为PVC。
8.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述送出轨道远离所述转盘的一端设置有用于接收所述硅片的接料花篮。
9.根据权利要求1所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述进料感应装置设置在所述送入轨道的一侧,所述进料感应装置距离所述转轴中心线的距离为所述硅片的长度加上所述转轴的半径。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种硅片翻转装置,其特征在于:所述硅片翻转装置包括转动状态和输送状态,所述硅片翻转装置处于所述输送状态时,所述转盘静止,靠近所述送入轨道的卡槽中空缺,所述送入轨道输送硅片,所述硅片插入靠近所述送入轨道的卡槽中;所述进料感应装置感应到所述硅片完全插入所述卡槽,所述进料感应装置发送进料信号给所述控制装置,所述控制装置接收所述进料信号后发送转动信号给所述驱动装置,所述驱动装置接收所述转动信号后带动所述转盘转动,所述硅片翻转装置处于所述转动状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造