[实用新型]一种DDR用封装基板

说明书

本实用新型公开了一种DDR用封装基板。所述DDR用封装基板，包括芯板、设置于所述芯板正面由多个焊盘形成的焊盘区以及设置在所述芯板的正面和反面上的阻焊膜，所述焊盘区内设有贯穿所述芯板的通孔，所述焊盘区内还设位于所述通孔和所述焊盘之间的阻隔部，所述阻隔部自所述芯板的正面凸起，所述阻隔部由能被蚀刻液腐蚀的材料制成。本实用新型的技术方案可以很好地补偿蚀刻液对焊盘的蚀刻，大大改善焊盘的尺寸质量，提高产品良率，同时，本实用新型结构简单，易于实现，成本很低。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种DDR用封装基板。

背景技术

电子技术的高速发展，对电路板的要求越来越高，尤其是封装基板，对于高精度、高密度，并且对封装基板外层线路的阻抗控制和线宽公差要求越来越高，因此，也要求封装基板的蚀刻效果具有良好的稳定性和均匀性。

对于高密度、高精度的双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate SDRAM，简称DDR)用封装基板，常规的蚀刻方法容易使基板上的焊盘被蚀刻液大幅蚀刻，导致焊盘的尺寸不符合质量要求、焊盘上球异常，进而导致封装基板报废。

实用新型内容

本实用新型提供了一种DDR用封装基板，用以解决现有技术中，DDR封装基板在蚀刻工艺中，焊盘容易被蚀刻液蚀刻导致焊盘尺寸不符合质量，产品报废率高的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种DDR用封装基板，包括芯板、设置于所述芯板正面由多个焊盘形成的焊盘区以及设置在所述芯板的正面和反面上的阻焊膜，所述焊盘区内设有贯穿所述芯板的通孔，所述焊盘区内还设有位于所述通孔和所述焊盘之间的阻隔部，所述阻隔部自所述芯板的正面凸起，所述阻隔部由能被蚀刻液腐蚀的材料制成。

进一步的，所述阻隔部为一铜环，所述铜环与所述通孔同轴设置，所述铜环的内径大于所述通孔的孔径，所述铜环的外圆与所述焊盘区内的各个焊盘之间设有间隙。

进一步的，所述铜环的内径比所述通孔的孔径大30～35μm。

进一步的，所述铜环的外圆与内圆的半径之差为50～70μm。

进一步的，所述铜环的侧壁上还设有开口，所述开口的口径自所述铜环的内圆向外圆方向逐渐增大。

进一步的，所述开口的大口径弧长为40～45μm，所述开口的小口径弧长为25～30μm。

与现有技术相比，本实用新型所述DDR用封装基板，在焊盘区内用于成型工艺中排气和流胶的通孔周围设置铜环，通过铜环作为大坝阻挡蚀刻液对焊盘的直接冲击，补偿了蚀刻液对焊盘的蚀刻，大大改善了焊盘的尺寸质量，提高产品良率，节约了生产成本。同时，本实用新型所述铜环结构简单，易于实现，成本很低。

附图说明

图1是本实用新型所述DDR用封装基板一具体实施方式的结构示意图；

图2是图1中A-A处的剖视图。

图中所示：10-芯板，20-焊盘，30-阻焊膜，40-通孔，50-铜环，51-开口。

具体实施方式

为了便于理解，下面结合实施例阐述本实用新型的技术特征。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。