[实用新型]一种DDR用封装基板有效
申请号: | 201821564840.0 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN208861975U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 冯飞英 | 申请(专利权)人: | 苏州群策科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 朱琳 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 焊盘 芯板 阻隔 本实用新型 封装基板 蚀刻液 通孔 蚀刻 产品良率 芯板正面 正面凸起 焊盘区 阻焊膜 对焊 封装 腐蚀 贯穿 | ||
1.一种DDR用封装基板,包括芯板、设置于所述芯板正面由多个焊盘形成的焊盘区以及设置在所述芯板的正面和反面上的阻焊膜,其特征在于,所述焊盘区内设有贯穿所述芯板的通孔,所述焊盘区内还设有位于所述通孔和所述焊盘之间的阻隔部,所述阻隔部自所述芯板的正面凸起,所述阻隔部由能被蚀刻液腐蚀的材料制成。
2.根据权利要求1所述的DDR用封装基板,其特征在于,所述阻隔部为一铜环,所述铜环与所述通孔同轴设置,所述铜环的内径大于所述通孔的孔径,所述铜环的外圆与所述焊盘区内的各个焊盘之间设有间隙。
3.根据权利要求2所述的DDR用封装基板,其特征在于,所述铜环的内径比所述通孔的孔径大30~35μm。
4.根据权利要求2所述的DDR用封装基板,其特征在于,所述铜环的外圆与内圆的半径之差为50~70μm。
5.根据权利要求2所述的DDR用封装基板,其特征在于,所述铜环的侧壁上还设有开口,所述开口的口径自所述铜环的内圆向外圆方向逐渐增大。
6.根据权利要求5所述的DDR用封装基板,其特征在于,所述开口的大口径弧长为40~45μm,所述开口的小口径弧长为25~30μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州群策科技有限公司,未经苏州群策科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821564840.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架
- 下一篇:电容结构