[实用新型]存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统

说明书

本实用新型公开了一种存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统，其中，欠压保护电路的稳压模块的输入端与外部电源连接，其第一输出端与比较模块的第一输入端连接，其第二输出端接地，稳压模块的第一输出端输出的电压为基准电压；基准电压由比较模块的内部压降值和目标电压确定；比较模块的第二输入端与外部电源连接，其输出端与开关模块的控制端连接；开关模块的输入端与外部电源连接，其输出端与外部存储芯片的供电端连接；在比较模块的第二输入端输入的电源电压低于目标电压的时，比较模块的输出端输出关断信号，使开关模块关闭。本实用新型通过电路结构保护外部存储芯片中的正常的数据不被改写，避免后续单元发生数据读取错误导致的损失。

技术领域

本实用新型涉及保护电路技术领域，尤其涉及一种存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统。

背景技术

在各种嵌入式系统中，存储芯片是常用且必不可少的信息存储器件，可以存储系统用到的各种参数，如设备地址，通讯参数，历史数据等信息。

目前，对于存储芯片一般采用掉电保护，通过掉电检测电路结合开关电路来实现；这种方式的缺陷在于，在一些缓慢掉电的场合，比如在检测到掉电时需要做一些数据保存，便于下次上电时把当前运行的参数直接读取出来接着运行，在线路板上会有法拉电容或后备电池供电，那么如果单片机仍旧能正常工作，而存储芯片可能介于临界状态。单片机继续对其读写的话，就极有可能造成数据的混乱，写入和读出的数据根本不一致，即使有数据校验机制，也会因为单片机写入了不可控的数据，而导致数据混乱，下次正常上电时参数是错误的，会让系统按照错误的逻辑运行，有可能会造成严重的后果。

实用新型内容

本实用新型提供的存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统，其主要目的在于克服现有存储芯片在一些缓慢掉电的场合，单片机在读取存储芯片的数据时，容易发生数据读取错误，导致的运行错误的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种存储芯片的欠压保护电路，包括稳压模块、比较模块以及开关模块；

所述稳压模块，其输入端与外部电源连接，其第一输出端与所述比较模块的第一输入端连接，其第二输出端接地，所述稳压模块的第一输出端输出的电压为基准电压；所述基准电压由所述比较模块的内部压降值和目标电压确定；

所述比较模块，其第二输入端与外部电源连接，其输出端与开关模块的控制端连接；

所述开关模块，其输入端与外部电源连接，其输出端与外部存储芯片的供电端连接；

在所述比较模块的第二输入端输入的电源电压低于目标电压的时，所述比较模块的输出端输出关断信号，使所述开关模块关闭。

作为一种可实施方式，所述目标电压为外部存储芯片的最低供电电压。

作为一种可实施方式，所述目标电压为2.8V。

作为一种可实施方式，所述稳压模块包括电阻R1和稳压二极管；

所述电阻R1的一端分别与所述比较模块的第一输入端连接和稳压二极管的正极连接；

所述稳压二极管的负极接地。

作为一种可实施方式，所述稳压二极管的型号为1N4758A。

作为一种可实施方式，所述比较模块包括电阻R2、电阻R3、电阻R4以及三极管Q1以及三极管Q2；

所述电阻R2的一端作为比较模块的第一输入端，另一端分别与所述三极管Q1的基极和电阻R3的一端连接；

所述电阻R3的另一端和三极管Q1的发射极连接作为比较模块的第二输入端；

所述三极管Q2，其基极通过所述电阻R4与三极管Q1的集电极连接，其发射极接地，其集电极作为比较模块的输出端。