[实用新型]存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统

权利要求书

1.一种存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，包括稳压模块、比较模块以及开关模块；

所述稳压模块，其输入端与外部电源连接，其第一输出端与所述比较模块的第一输入端连接，其第二输出端接地，所述稳压模块的第一输出端输出的电压为基准电压；所述基准电压由所述比较模块的内部压降值和目标电压确定；

所述比较模块，其第二输入端与外部电源连接，其输出端与开关模块的控制端连接；

所述开关模块，其输入端与外部电源连接，其输出端与外部存储芯片的供电端连接；

在所述比较模块的第二输入端输入的电源电压低于目标电压的时，所述比较模块的输出端输出关断信号，使所述开关模块关闭。

2.如权利要求1所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述目标电压为外部存储芯片的最低供电电压。

3.如权利要求2所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述目标电压为2.8V。

4.如权利要求1所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述稳压模块包括电阻R1和稳压二极管；

所述电阻R1的一端分别与所述比较模块的第一输入端连接和稳压二极管的正极连接；

所述稳压二极管的负极接地。

5.如权利要求4所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述稳压二极管的型号为1N4758A。

6.如权利要求1所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述比较模块包括电阻R2、电阻R3、电阻R4以及三极管Q1以及三极管Q2；

所述电阻R2的一端作为比较模块的第一输入端，另一端分别与所述三极管Q1的基极和电阻R3的一端连接；

所述电阻R3的另一端和三极管Q1的发射极连接作为比较模块的第二输入端；

所述三极管Q2，其基极通过所述电阻R4与三极管Q1的集电极连接，其发射极接地，其集电极作为比较模块的输出端。

7.如权利要求1所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括电阻R5和MOS管；

所述MOS管，其源极分别与所述电阻R5的一端和外部电源连接，其栅极分别与所述比较模块的输出端和电阻R5的另一端连接，其漏极与外部存储芯片的供电端连接；根据所述MOS管栅极输入的关断信号来控制所述MOS管所处的通断状态。

8.如权利要求7所述的存储芯片的欠压保护电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS管，型号为SI2301。

9.一种嵌入式系统，其特征在于，包括单片机、电压检测模块以及如权利要求1-8任一项所述的欠压保护电路；

所述电压检测模块，分别与所述单片机和外部电源连接，用于实时检测外部电源的电源电压，在监测到电源电压低于目标电压时产生报警信号，并将报警信号传输至单片机；

所述单片机，与所述欠压保护电路的外部存储芯片连接，用于在接收到报警信号后，停止读取所述存储芯片中的数据。