[实用新型]一种DFN1010-4A高密度框架有效
| 申请号： | 201821532761.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208690249U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 樊增勇;崔金忠;李博;陈锐;惠施祥 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 刘童笛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片安装部 芯片区 引脚 引脚区 半导体制造技术 发热量 边框 腐蚀 产品切割 封装结构 矩形结构 矩形片状 相邻布置 引脚区域 框架本 外边框 安置 延伸 减小 封装 芯片 共享 保证 | ||
1.一种DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与DFN1010-4A封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片区和引脚区，在每个芯片安装部的四周均设置有引脚区，芯片安装部和芯片区均为矩形结构，所述芯片区相对于芯片安装部的外边框旋转45°安置，使得相邻布置芯片安装部的引脚区相连通，还设有分别延伸至相邻两个引脚区内的引脚半腐蚀区。
2.根据权利要求1所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，每四个芯片安装部组成一个芯片安装单元，在芯片安装单元之间设有框架连筋，沿框架连筋长度设置成半腐蚀结构。
3.根据权利要求2所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，所述框架连筋的宽度为0.08±0.01mm。
4.根据权利要求3所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，所述芯片区的边框设置为芯片斜锉边框，斜锉角度为45°。
5.根据权利要求3所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，所述引脚区的边框设置为引脚斜锉边框，斜锉角度为45°。
6.根据权利要求4或5所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，所述框架连筋设置在框架背面，且框架连筋将相邻的引脚区相连接。
7.根据权利要求6所述的DFN1010-4A高密度框架，其特征在于，在框架的边框上间隔设有多个切割凹槽，并设有连接切割凹槽的边框连筋，所述边框连筋为半腐蚀设计。
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