[实用新型]一种改善晶圆键合空洞的固定结构

说明书

本实用新型提供一种改善晶圆键合空洞的固定结构，适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中，其中，固定结构包括：一基座，基座为圆盘形结构；一吸盘，吸盘设置于基座的上表面，吸盘的外缘设置一环形凸缘，环形凸缘用以承载器件晶圆；环形凸缘以内具有复数个锥体结构。本实用新型的技术方案有益效果在于：通过改造吸盘的结构，减小了器件晶圆的下表面与吸盘的的接触面积，使得颗粒杂质位于每两个锥体结构之间的间隙内，避免引起载体晶圆与器件晶圆之间形成空洞，以降低晶圆键合空洞的缺陷率，进而提高晶圆产品的合格率，并且可以适用于不同的三维集成晶圆键合工艺，以达到降低晶圆键合空洞的缺陷率的要求。

技术领域

本实用新型涉及三维集成晶圆键合工艺技术领域，尤其涉及一种改善晶圆键合空洞的固定结构。

背景技术

随着集成电路的发展，芯片向减小发热、功耗和延迟的方向发展。三维集成工艺是通过将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成，可以提高芯片的性能，同时可以大幅度缩短功能芯片之间的金属互联，减小发热、功耗和延迟。目前的三维集成工艺中，晶圆与晶圆之间的键合工艺是三维集成工艺的核心重点之一，并且晶圆键合空洞缺陷率是衡量晶圆键合工艺的核心参数。

如图1所示，现有技术中关于晶圆键合工艺的结构示意图，包括载体晶圆W1、器件晶圆W2、固定盘C，其中，固定盘C用以固定器件晶圆W2，载体晶圆W1与器件晶圆W2在进行晶圆键合工艺时，载体晶圆W1与器件晶圆W2之间容易形成空洞E，在出现空洞E之后也无法找到形成空洞的原因。

具体地，以背照式CMOS(互补金属氧化物半导体，英文全称Complementary MetalOxide Semiconductor)影像传感器为例，晶圆键合空洞缺陷会持续在后续制程中产生颗粒缺陷，影响产品光学性能，最终会影响产品的合格率。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种改善晶圆键合空洞的固定结构。

具体技术方案如下：

一种改善晶圆键合空洞的固定结构，适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中，其特征在于，所述固定结构包括：

一基座，所述基座为圆盘形结构；

一吸盘，所述吸盘设置于所述基座的上表面，所述吸盘的外缘设置一环形凸缘，用以承载所述器件晶圆；

所述环形凸缘以内具有复数个锥体结构。

优选的，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为正四棱锥。

优选的，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为三棱锥。

优选的，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为圆锥。

优选的，所述锥体结构的比例为：

其中，

H表示所述锥体结构的高度；

L表示所述锥体结构的底面边长。

优选的，复数个所述锥体结构的高度相同。

优选的，每一所述锥体结构的高度与所述环形凸缘的高度相同。

优选的，所述环形凸缘为真空结构，用以吸附所述器件晶圆。

优选的，所述吸盘的尺寸与所述基座的尺寸相适配。

优选的，所述吸盘的外沿尺寸≥150mm；或

所述吸盘的外沿尺寸≥200mm；或

所述吸盘的外沿尺寸≥300mm；或

所述吸盘的外沿尺寸≥450mm。