[实用新型]一种改善晶圆键合空洞的固定结构有效
| 申请号： | 201821519102.4 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN208806242U | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 覃秋军;郭万里;张银 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 晶圆 吸盘 空洞 固定结构 环形凸缘 本实用新型 锥体结构 缺陷率 圆盘形结构 承载器件 晶圆产品 颗粒杂质 三维集成 吸盘设置 上表面 下表面 复数 减小 合格率 改造 | ||
1.一种改善晶圆键合空洞的固定结构，适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中，其特征在于，所述固定结构包括：
一基座，所述基座为圆盘形结构；
一吸盘，所述吸盘设置于所述基座的上表面，所述吸盘的外缘设置一环形凸缘，用以承载所述器件晶圆；
所述环形凸缘以内具有复数个锥体结构。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为正四棱锥。
3.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为三棱锥。
4.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述锥体结构规则排列，所述锥体结构为圆锥。
5.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述锥体结构的比例为：
其中，
H表示所述锥体结构的高度；
L表示所述锥体结构的底面边长。
6.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，复数个所述锥体结构的高度相同。
7.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，每一所述锥体结构的高度与所述环形凸缘的高度相同。
8.根据1权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述环形凸缘为真空结构，用以吸附所述器件晶圆。
9.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述吸盘的尺寸与所述基座的尺寸相适配。
10.根据权利要求1所述的改善晶圆键合空洞的固定结构，其特征在于，所述吸盘的外沿尺寸≥150mm；或
所述吸盘的外沿尺寸≥200mm；或
所述吸盘的外沿尺寸≥300mm；或
所述吸盘的外沿尺寸≥450mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
