[实用新型]一种新型大功率IGBT模块有效
| 申请号: | 201821508968.5 | 申请日: | 2018-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN208753306U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 黄亚军;黎忠瑾 | 申请(专利权)人: | 深圳宝铭微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铝线 顶部安装板 功率端子 固定块 接线板 大功率IGBT模块 本实用新型 超声波键合 安装螺母 电性连接 螺丝钉 电感 焊点 底部内壁 固定插接 固定设置 降低功率 模块功率 外壳顶部 外壳内部 传统的 固定卡 上表面 去除 焊接 疲劳 | ||
本实用新型公开了一种新型大功率IGBT模块,包括功率端子、外壳、顶部安装板和DBC板,所述外壳顶部通过螺丝钉固定安装有顶部安装板,所述顶部安装板上表面固定设置有固定块,所述固定块中部固定卡接有安装螺母,所述固定块位于安装螺母一侧固定插接有功率端子,所述功率端子位于外壳内部一端固定焊接有接线板;所述外壳底部内壁通过螺丝钉固定安装有DBC板,所述接线板底部利用超声波键合有铝线,所述接线板通过铝线与DBC板电性连接;本实用新型利用超声波键合技术将模块功率端子与DBC之间通过多根铝线进行电性连接,同时去除传统的“S”型结构,不会使焊点产生疲劳,能够降低功率端子的电感,因此能够增加模块的可靠性。
技术领域
本实用新型涉及IGBT模块技术领域,具体为一种新型大功率IGBT模块。
背景技术
IGBT指绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
但是,传统的IGBT模块在使用过程中存在一些弊端,比如:
传统的模块功率端子和DBC采用钎焊的方式进行焊接,并且考虑到应力的变化,传统的功率端子设计采用“S”型,但是在实际使用时模块经受温度变化循环,焊接点容易疲劳,因此导致模块可靠性比较低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型大功率IGBT模块,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型大功率IGBT模块,包括功率端子、外壳、顶部安装板和DBC板,所述外壳顶部通过螺丝钉固定安装有顶部安装板,所述顶部安装板上表面固定设置有固定块,所述固定块中部固定卡接有安装螺母,所述固定块位于安装螺母一侧固定插接有功率端子,所述功率端子位于外壳内部一端固定焊接有接线板;
所述外壳底部内壁通过螺丝钉固定安装有DBC板,所述接线板底部利用超声波键合有铝线,所述接线板通过铝线与DBC板电性连接,所述铝线与DBC板之间利用超声波键合在一起;所述外壳一端上表面固定插接有金属触片,所述金属触片位于外壳内部一端通过铝线与DBC板电性连接。
进一步的,所述功率端子位于外壳外部一端中心开设有与安装螺母相配合的孔。
进一步的,所述金属片与DBC板之间通过超声波键合技术进行连接。
进一步的,所述外壳两端中部分别开设有螺钉槽,所述螺钉槽内部固定卡接有固定螺母。
进一步的,所述金属触片表面均匀电镀有镍。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
利用超声波键合技术将模块功率端子与DBC之间通过多根铝线进行电性连接,同时去除传统的“S”型结构,不会使焊点产生疲劳,能够降低功率端子的电感,因此能够增加模块的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型俯视结构示意图;
图2为本实用新型主视结构示意图;
图3为本实用新型主视剖面结构示意图。
图1-3中:1-固定螺母;2-功率端子;3-外壳;4-螺钉槽;5-固定块;6-顶部安装板;7-金属触片;8-安装螺母;9-接线板;10-铝线;11-DBC板。
具体实施方式
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