[实用新型]一种阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括：基底；第一金属层，设置在基底上；绝缘层，设置在第一金属层上；半导体层，设置在绝缘层上；第二金属层，设置在半导体层上；所述第一金属层与第二金属层之间存在重叠区域；所述第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积。第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积，重叠区域面积减小，第一金属层与第二金属层之间产生的寄生电容减小，有利于显示面板的高分辨及开口率，提升显示面板的显示品质。

技术领域

本方案涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。

薄膜晶体管显示器主要由阵列基板(Thin Film Transistor Array，TFT Array)、彩色滤光基板(Color Filter)和液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其中阵列基板是由多个阵列排列的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极(Pixel Electrode)所组成，而薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关元件。

目前阵列基板主要采用的是底栅结构(Bottom Gate TFT)，薄膜晶体管(TFT)寄生电容相对较大，不利于显示面板的高分辨及开口率，影响显示面板的显示品质。

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种寄生电容较小的阵列基板及显示面板。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基底；

第一金属层，设置在基底上；

绝缘层，设置在第一金属层上；

半导体层，设置在绝缘层上；

第二金属层，设置在半导体层上；

所述第一金属层与第二金属层之间存在重叠区域；

所述第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积。

可选的，所述第一金属层包括栅极，设置在基底上，所述第二金属层包括源极、漏极，所述源极设置在半导体层的一侧上，所述漏极设置在半导体层的另一侧上；

所述栅极与源极之间存在重叠区域，栅极与漏极之间存在重叠区域；

所述源极与栅极重叠区域的面积小于源极与栅极非重叠区域的面积，所述漏极与栅极重叠区域面积小于漏极与栅极非重叠区域的面积。

本方案中，源极、漏极与栅极的重叠区域面积较大，薄膜晶体管(TFT)寄生电容相对较大，不利于显示面板的高分辨及开口率，影响显示面板的显示品质。栅极位于源极和漏极之下，源极与栅极重叠区域的面积小于源极与栅极非重叠区域的面积，漏极与栅极重叠区域面积小于漏极与栅极非重叠区域的面积，重叠区域面积减小，栅极与源极、漏极之间产生的寄生电容减小，有利于显示面板的高分辨及开口率，提升显示面板的显示品质。

可选的，所述源极与栅极重叠区域长度为L1，所述源极与栅极非重叠区域的长度为L2；所述漏极与栅极重叠区域长度为L3，所述漏极与栅极非重叠区域长度为L4；所述L1小于L2，所述L3小于L4。