[实用新型]一种阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201821501613.3 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN208848908U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 黄北洲 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一金属层 第二金属层 显示面板 重叠区域 阵列基板 绝缘层 非重叠区域 半导体层 基底 本实用新型 寄生电容 面积减小 显示品质 高分辨 开口率 减小 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
基底;
第一金属层,设置在基底上;
绝缘层,设置在第一金属层上;
半导体层,设置在绝缘层上;
第二金属层,设置在半导体层上;
所述第一金属层与第二金属层之间存在重叠区域;
所述第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板,其特征在于,所述第一金属层包括栅极,设置在基底上,所述第二金属层包括源极、漏极,所述源极设置在半导体层的一侧上,所述漏极设置在半导体层的另一侧上;
所述栅极与源极之间存在重叠区域,栅极与漏极之间存在重叠区域;
所述源极与栅极重叠区域的面积小于源极与栅极非重叠区域的面积,所述漏极与栅极重叠区域面积小于漏极与栅极非重叠区域的面积。
3.如权利要求2所述的一种阵列基板,其特征在于,所述源极与栅极重叠区域长度小于所述源极与栅极非重叠区域的长度;所述漏极与栅极重叠区域长度小于所述漏极与栅极非重叠区域长度。
4.如权利要求3所述的一种阵列基板,其特征在于,所述源极与栅极重叠区域长度为0.5μm至3μm;所述漏极与栅极重叠区域长度的数值范围为0.5μm至3μm。
5.如权利要求3所述的一种阵列基板,其特征在于,所述源极与栅极重叠区域长度是所述源极与栅极非重叠区域的长度的四份之一至三分之二;所述漏极与栅极重叠区域长度是所述漏极与栅极非重叠区域长度的四份之一至三分之二。
6.如权利要求2所述的一种阵列基板,其特征在于,所述栅极与源极重叠区域宽度小于所述源极的宽度;所述栅极与漏极重叠区域宽度小于所述漏极宽度。
7.如权利要求3所述的一种阵列基板,其特征在于,所述栅极与源极重叠区域的厚度和所述栅极与漏极重叠区域的厚度是所述栅极与源极、漏极非重叠区域厚度的三分之一至三分之二。
8.如权利要求3所述的一种阵列基板,其特征在于,所述源极上与栅极重叠区域的厚度大于所述源极上与栅极非重叠区域的厚度;所述漏极上与栅极重叠区域的厚度大于所述漏极上与栅极非重叠区域的厚度。
9.如权利要求8所述的一种阵列基板,其特征在于,所述源极上与栅极重叠区域的厚度是所述源极上与栅极非重叠区域的厚度的三分之一至三分之二,所述漏极上与栅极重叠区域的厚度是所述漏极上与栅极非重叠区域的厚度的三分之一至三分之二。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至9任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的