[实用新型]一种小间距石英舟有效
申请号: | 201821446270.5 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN208848872U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 崔慧敏;林罡;王鹏 | 申请(专利权)人: | 无锡华源晶电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石英舟 开槽 本实用新型 上支撑杆 原有设备 侧板 产能 下支撑杆 恒温区 槽端 倒角 加长 减小 改造 高产 配合 | ||
本实用新型公开了一种小间距石英舟,包括侧板,所述两个侧板内部的上方的一侧安装有上支撑杆,所述上支撑杆上的内侧安装有上石英舟开槽,所述两个上石英舟开槽的中间位置的下方安装有开槽间距,所述两个上石英舟开槽的中间位置的上方安装有槽端倒角,所述下支撑杆上的上方的中间位置安装有下石英舟开槽。本实用新型的提供一种2mm间距高产能石英舟,现在大多数厂家存在原有设备改造问题,在此过程中,产能的提高没法通过加长恒温区来实现,所以减小石英舟的间距就成了唯一且最佳的解决方法。本实用新型石英舟对于提高产能来说成本低,见效快,且易于与原有设备配合,易于改造。
技术领域
本实用新型涉及石英舟技术领域,具体是一种小间距石英舟。
背景技术
石英舟又名石英玻璃,石英玻璃是以含二氧化硅物质,如水晶、硅石。四氧化硅为原料高温熔制而成。其二氧化硅含量比普通玻璃高得多,一般石英玻璃二氧化硅含量在99.999%。石英玻璃具有优异的光学性能,不仅可见光透光度特别好,而且透紫外线,红外线。石英玻璃是良好的耐酸材料,除氢氟酸和300度以上的热磷酸外,在高温下,它能耐硫酸,硝酸,盐酸,王水,中性盐类,碳和硫等侵蚀,其化学稳定性相当于耐酸陶瓷的30倍,相当于镍铬合金和陶瓷的150倍,它耐高温,耐热震,热膨胀系数特别小。石英玻璃电学性能极佳,在常温下,它的电阻相当于普通玻璃的10倍,对全部频率的介电损失很微小,绝缘耐压强度大。石英玻璃还具有耐宇宙放射线,和不透原子核裂变产物的性质。目前阶段的石英舟存在诸多的不足之处,例如:操作不便、产能低、占空面积大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种小间距石英舟,以解决现有技术中操作不便、产能低、占空面积大的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种小间距石英舟,包括侧板,所述两个侧板内部的上方的一侧安装有上支撑杆,所述上支撑杆上的内侧安装有上石英舟开槽,所述两个上石英舟开槽的中间位置的下方安装有开槽间距,所述两个上石英舟开槽的中间位置的上方安装有槽端倒角,所述两个侧板内部的下方的一侧安装有下支撑杆,所述下支撑杆上的上方的中间位置安装有下石英舟开槽,所述两个侧板的上方安装有舟挑杆,所述两个侧板下方的一侧安装有固定底脚。
优选的,所述侧板内的中间位置的两侧设置为镂空结构,且两个镂空层设置的大小相同。
优选的,所述上石英舟开槽与下石英舟开槽设置的大小相同,且上石英舟开槽与下石英舟开槽的方向不同。
优选的,所述开槽间距的间距设置为2mm,且槽端倒角设置为45°。
优选的,所述上石英舟开槽与下石英舟开槽的边线总高度设置为3mm,且上石英舟开槽与下石英舟开槽的舟槽之间的距离变为0.34mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的提供一种2mm间距高产能石英舟,现在大多数厂家存在原有设备改造问题,在此过程中,产能的提高没法通过加长恒温区来实现,所以减小石英舟的间距就成了唯一且最佳的解决方法。本实用新型石英舟对于提高产能来说成本低,见效快,且易于与原有设备配合,易于改造,在加大产量的时候,单纯的减小槽间距会破坏舟槽的尺寸,因为舟槽之间的交叉,会造成石英舟的无法加工,所以第一步先更改了舟槽的倒角角度,即将原来的60°倒角改为45°,将开槽边线切割0.2mm,这样不会损坏支撑杆的承重能力,而且舟槽之间的距离变为0.34mm,这样对于石英舟的加工来说不会产生任何影响,而且因为此方法避免了隐裂,所以还会加大石英舟使用过程中的承载力。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的侧视图。
图3为本实用新型的主视图。
图4为本实用新型上石英舟开槽的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华源晶电科技有限公司,未经无锡华源晶电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821446270.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体晶片处理腔室及半导体处理设备
- 下一篇:一种用于厚膜基板烧结的燃烧舟
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造