[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。所提供的存储器包括形成于衬底上并与衬底中的多个第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，每个所述存储节点接触包括在对应于第二源/漏区的衬底表面沿远离衬底表面方向依次叠加的金属硅化物接触和导电材料层，所述多个存储节点接触之间相互隔离。在去除所述多个存储节点接触之间残留的导电材料时，金属硅化物接触可以减小或防止衬底表面由于过刻蚀损伤。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

现有技术中的一种存储器如动态随机存取存储器(Dynamic Random AccessMemory，DRAM)中，每个存储单元通常包括电容器及晶体管，其中，所述电容器用于存储数据，所述晶体管用于控制所述电容器对于数据的存取，所述存储器还包括连接至每个存储单元的字线(word line)及位线(bit line)，具体的，所述字线与所述晶体管的栅极连接，所述位线与所述晶体管的一个源/漏区连接，而所述晶体管的另一个源/漏区与所述电容器连接，从而达到数据存储和输出的目的。

现有工艺在上述晶体管的一个源/漏区形成所述电容器时，通常在该源/漏区的衬底表面沉积多晶硅层以形成存储节点接触(node contact)，对于相邻且分别位于隔离区两侧的两个存储节点接触来说，对应的多晶硅层的两部分应完全断开，因此，在对所沉积的多晶硅层进行刻蚀时，为了确保相邻的存储节点接触完全分离，通常会适当延长刻蚀时间即进行过刻蚀，但该过刻蚀容易造成衬底损伤。

实用新型内容

针对现有技术在形成存储节点接触时的刻蚀过程容易导致衬底损伤的问题，本实用新型提供了一种存储器，其中存储节点接触包括在对应的源/漏区衬底表面形成的金属硅化物接触，以减小或避免在去除相邻存储节点接触之间残留的导电材料时对衬底造成损伤。

本实用新型提供的存储器包括：

衬底，所述衬底具有隔离区以及由所述隔离区界定出的多个有源区，每个所述有源区具有至少一个第一源/漏区和至少一个第二源/漏区；以及

形成于所述衬底上并与多个所述第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，每个所述存储节点接触包括在对应于所述第二源/漏区的所述衬底表面沿远离所述衬底表面的方向依次叠加的金属硅化物接触和导电材料层，所述多个存储节点接触之间相互隔离。

可选的，所述存储器还包括：

形成于所述衬底中的多条字线，每条所述字线与相应的所述有源区相交，并分隔所述第一源/漏区和所述第二源/漏区；以及

形成于所述衬底上的多条位线，每条所述位线与相应的所述有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述第一源/漏区连接至所述位线。

可选的，每个所述有源区包括一个所述第一源/漏区和分别位于所述第一源漏区两侧的两个所述第二源/漏区，且每个所述有源区与两条所述字线相交。

可选的，所述金属硅化物接触的材质包括TiSi、CoSi和WSi中的一种或两种以上的组合。

可选的，所述导电材料层的材质包括多晶硅，所述衬底为硅衬底。

可选的，所述存储器为动态随机存取存储器。

本实用新型提供的存储器，其中每个存储节点接触包括在对应于所述第二源/漏区的所述衬底表面沿远离所述衬底表面的方向依次叠加的金属硅化物接触和导电材料层。所述金属硅化物接触可以在刻蚀去除位于所述多个存储节点接触之间的导电材料的过程中保护衬底的表面避免损伤。

附图说明

图1(a)至图1(d)是一种存储器的形成方法在实施过程中的剖面示意图。

图2是本实用新型实施例的存储器的形成方法的流程示意图。