[实用新型]存储器有效
| 申请号： | 201821442890.1 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN209045552U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储节点接触 存储器 金属硅化物接触 衬底表面 源/漏区 衬底 衬底表面方向 本实用新型 导电材料层 导电材料 依次叠加 过刻蚀 减小 去除 损伤 残留 隔离 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有隔离区以及由所述隔离区界定出的多个有源区，每个所述有源区具有至少一个第一源/漏区和至少一个第二源/漏区；以及
形成于所述衬底上并与多个所述第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，每个所述存储节点接触包括在对应于所述第二源/漏区的所述衬底表面沿远离所述衬底表面的方向依次叠加的金属硅化物接触和导电材料层，所述多个存储节点接触之间相互隔离。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：
形成于所述衬底中的多条字线，每条所述字线与相应的所述有源区相交，并分隔所述第一源/漏区和所述第二源/漏区；以及
形成于所述衬底上的多条位线，每条所述位线与相应的所述有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述第一源/漏区连接至所述位线。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，每个所述有源区包括一个所述第一源/漏区和分别位于所述第一源/漏区两侧的两个所述第二源/漏区，且每个所述有源区与两条所述字线相交。
4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述金属硅化物接触的材质包括TiSi、CoSi和WSi中的一种。
5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述导电材料层的材质包括多晶硅，所述衬底为硅衬底。
6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器为动态随机存取存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
