[实用新型]3D存储器件有效
| 申请号： | 201821441012.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN208873722U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器件 外延层 辅助区域 核心区域 虚拟孔 沟道 氧化物层 本实用新型 表面方向 电流泄漏 不均匀 衬底 垂直 | ||
1.一种3D存储器件，包括：
核心区域，所述核心区域具有沟道孔；
辅助区域，所述辅助区域包括虚拟孔和/或沟槽；
所述3D存储器件沿垂直于所述3D存储器件表面方向的底层为衬底，其中，所述沟道孔的底部具有外延层，所述虚拟孔和/或沟槽的底部具有氧化物层。
2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述辅助区域包括台阶区域和贯穿阵列接触区域，所述台阶区域中具有所述虚拟孔，所述贯穿阵列接触区域中具有所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述沟道孔、虚拟孔以及沟槽内均具有阻挡绝缘层-电荷俘获层-隧穿绝缘层-沟道层-介电质层结构。
4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，在所述虚拟孔以及所述沟槽的底部形成氧化物层时，所述沟道孔是封闭的。
5.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，在所述沟道孔的底部形成外延层时，所述虚拟孔以及所述沟槽是封闭的。
6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述沟道孔延伸至所述衬底，并在所述衬底中形成一定深度的第一凹槽。
7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述外延层形成于所述第一凹槽内。
8.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述虚拟孔以及所述沟槽延伸至所述衬底，并在所述衬底中形成一定深度的第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，所述氧化物层形成于第二凹槽内。
10.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述核心区域包括叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
