[实用新型]一种新型LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种新型LED芯片，包括P氮化镓平台、N氮化镓平台、P电极、N电极、及P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区。以此提高LED芯片的出光效果。

技术领域

本实用新型涉及新型LED芯片。更具体地说，本实用新型涉及一种有形LED芯片。

背景技术

自从1962年，通用电气公司的发明人，开发了第一种能实际应用的可见光LED芯片，开启了LED芯片在仪器仪表指示、交通信号灯、照明及电子显示屏等领域的旅程。LED芯片通过其P-N结及其之间的发光区把电能转化成光能，具体来讲，当电流作用于LED芯片时，电子被推向P区，在P区内电子与空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这是LED芯片发光的基本原理。随着全球能源日益短缺问题越驱严重，各国对节能产品的研究开发越来越关注，使节能环保的LED技术得于快速发展，给LED提供了巨大的市场机遇，目前LED日趋取代了传统的光源，以称为照明、显示屏等领域的主要基础光源。

近来，在LED照明领域及显示器应用领域的巨大市场前景吸引下及各国政府部门的大力促成，各公司纷纷投入研发生产，LED成本的降低使LED在照明领域的应用越来越广泛，至2011年LED芯片从之前的供不应求迅速向供过于求转化，使得各公司不得不对LED芯片重新认识、整顿，在低成本的基础上，LED芯片必须向高质量、高光效的方向转变，要让LED不但在照明领域有更好的前景，并且使其在显示器中的应用能越来越广泛，提高其光形的一致性，质量的稳定性，是具备发展眼光的企业家们认为目前LED技术中最具突破点研究开发技术之一。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种新型新型LED芯片，相对现有技术的LED芯片其结构更为简单，同时本实用新型的LED芯片在LED芯片工艺制程中提高效率。

本实用新型另一个目的是提供一种新型结构独特的LED芯片，提高了LED芯片的出光效果，保证了光形的一致性，并且进一步为下一步LED芯片的应用提高了质量的稳定性。

为了实现本实用新型的目的和其它优点，提供了一种新型LED芯片，包括P氮化镓平台、N氮化镓平台、P电极、N电极、及P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中所述P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区的形状包括：圆台形发光区、三棱台形发光区、四棱台形发光区、六棱台形发光区。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中发光区侧壁为斜形侧壁，发光区的上底≤发光区的下底。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中LED芯片为有形芯片。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中LED芯片为有形芯片，形状包括：正方形、正六边形、等边三角形。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中正方形LED芯片的发光区形状包括：四棱台形、六棱台形、圆台形发光区；正六边形LED芯片的发光区形状为六棱台形；等边三角形LED芯片的发光区形状为三棱台形。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中所述的LED芯片为垂直结构的LED芯片。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中LED芯片的P电极、N电极分别在芯片的上下。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中LED芯片P氮化镓平台与N氮化镓平台分别为LED芯片的上下底。

本实用新型所述的新型LED芯片，其中LED芯片为正装芯片，其中P氮化镓平台、N氮化镓平台上的P电极、N电极，N氮化镓平台上的N电极与P氮化镓平台上的P电极的上表面水平的差值为h，h≤0.2µm。

本实用新型至少包括以下有益效果：