[实用新型]一种新型LED芯片

权利要求书

1.一种新型LED芯片，其特征在于，包括P氮化镓平台、N氮化镓平台、P电极、N电极、及P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区，有形发光区的形状选自：圆台形发光区、三棱台形发光区、四棱台形发光区、六棱台形发光区中一种。

2.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的发光区侧壁为斜形侧壁，发光区的上底≤发光区的下底。

3.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片为有形芯片。

4.根据权利要求3所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片为有形芯片，形状包括：正方形、正六边形、等边三角形。

5.根据权利要求1或4所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的LED芯片的发光区形状包括：四棱台形、六棱台形、圆台形发光区；正六边形LED芯片的发光区形状为六棱台形；等边三角形LED芯片的发光区形状为三棱台形。

6.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的LED芯片为垂直结构的LED芯片。

7.根据权利要求6所述的新型LED芯片，其特征在于，其中LED芯片的P电极、N电极分别在芯片的上下。

8.根据权利要求6所述的新型LED芯片，其特征在于，其中LED芯片P氮化镓平台与N氮化镓平台分别为LED芯片的上下底。

9.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片为正装芯片，其中P氮化镓平台、N氮化镓平台上的P电极、N电极，N氮化镓平台上的N电极与P氮化镓平台上的P电极的上表面水平的差值为h，h≤0.2µm。