[实用新型]存储装置及半导体器件

说明书

本公开提供一种存储装置及半导体器件，涉及半导体技术领域。本公开的半导体器件包括第一芯片、第二芯片、连接孔和导电体，第一芯片具有第一焊盘。第二芯片有多个且每个第二芯片均具有第二焊盘，各第二焊盘均设有穿孔。各第二芯片堆叠设置于第一芯片，且各第二焊盘与第一焊盘正对设置。任意相邻的两第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于远离第一芯片的穿孔。连接孔穿过正对于第一焊盘的各穿孔且露出第一焊盘，连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同。导电体配合设于连接孔内，第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。本公开的半导体器件可简化工艺，降低成本。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种存储装置及半导体器件。

背景技术

随着半导体技术的发展，芯片堆叠技术已经广泛的应用于各类存储器，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等。目前，对于堆叠设置的多个芯片而言，需要通过TSV(Through Silicon Vias，硅穿孔)以最短的路径将各个芯片连接，具体而言，在现有技术中，通常需要先在各个芯片上形成硅通道，并在硅通道内形成导电件，再将各个芯片堆叠设置，使各个硅通道内的导电件连接，从而将各个芯片连接起来。

但是，对每个芯片都进行TSV工艺，会使得整个制造过程耗时较长，工序较多，且成本较高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种存储装置及半导体器件，可简化工艺，降低成本。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：

第一芯片，具有第一焊盘；

多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；

各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；

连接孔，穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔且露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同；

导电体，配合设于所述连接孔内，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。

在本公开的一种示例性实施例中，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，所述半导体器件还包括：

隔离层，设于所述连接孔内壁与所述导电体之间，且所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面。

在本公开的一种示例性实施例中，正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的中心与所述第一焊盘的中心共线设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料为金属。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种，所述第二焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电体、所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘嵌设于所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐；

任一所述第二焊盘嵌设于其所在的第二焊盘远离所述第一芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘和各所述第二焊盘的厚度相同。