[实用新型]存储装置及半导体器件有效
| 申请号： | 201821424715.X | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208655617U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊盘 芯片 半导体器件 连接孔 穿孔 孔段 存储装置 导电体 半导体技术领域 导电体连接 芯片堆叠 正对设置 穿孔的 穿过 配合 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一芯片，具有第一焊盘；
多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；
各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；
连接孔，穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔且露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同；
导电体，配合设于所述连接孔内，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，所述半导体器件还包括：
隔离层，设于所述连接孔内壁与所述导电体之间，且所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的中心与所述第一焊盘的中心共线设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料为金属。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种，所述第二焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体、所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料相同。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一焊盘嵌设于所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐；
任一所述第二焊盘嵌设于其所在的第二焊盘远离所述第一芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一焊盘和各所述第二焊盘的厚度相同。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一芯片包括：
第一衬底；
第一绝缘层，设于所述第一衬底一侧，所述第一焊盘嵌设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面；
所述第二芯片包括：
第二衬底；
第二绝缘层，设于所述第二衬底远离所述第一芯片的一侧，所述第二焊盘嵌设于所述第二绝缘层远离所述第二衬底的表面；
距离所述第一芯片最近的第二芯片的第二衬底设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面，各所述第二芯片的第二衬底和第二绝缘层交替层叠设置。
10.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体器件。
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