[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型涉及一种基板处理装置，基板处理装置包括：载体头，其包括搭载基板的膜和配置于膜的周围的卡环；放置架，其包括放置卡环的卡环放置部件和形成于卡环放置部件并放置基板的基板放置部，用于将基板装载于载体头；定心单元，其使得卡环放置部件相对于载体头移动至规定的对齐位置，由此可以取得在没有基板的损伤的状态下对基板进行稳定的装载的有利效果。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，更为详细地，涉及一种基板处理装置，其防止装载基板的过程中基板损伤,并可以提高稳定性及可靠性。

背景技术

化学机械研磨(CMP)系统是一种用于对晶元表面进行精密研磨加工的装置，其目的是为了实现由大面积平坦化和用于形成电路的接触/配线膜分离及高集成元件化导致的晶元表面粗糙度(surface roughness)的提高等，大面积平坦化是去除由在半导体元件制作过程中反复执行掩蔽、蚀刻及配线工艺等的同时产生的晶元表面的凹凸引起的单元区域和周边电路区域间的高度差。

化学机械研磨系统，将晶元装载于载体头90之后，如韩国登记专利公报第10-1188579号等中公开的一样，使得载体头移动的同时在规定的研磨平板对晶元的研磨面同时进行利用机械摩擦的机械研磨与利用研磨液的化学研磨。

此时，如图1所示，载体头90在化学机械研磨工艺中将用于通过底板92a向下方加压晶元W的膜92固定于本体部91，在膜92和本体部91之间形成有压力腔室(chamber)92C，利用从压力调节部95通过空气压力供给管95a施加的空气压力可将晶元W向下方加压。并且，在膜92的周围设置有防止晶元W脱离的卡环(retainer ring)93，在化学机械研磨工艺中，通过卡环腔室(retaining chamber)93C的空气压力可将卡环93向下方加压。

此外，如图1所示，将晶元W装载于载体头90的装载装置1包括：放置架10，其用于放置晶元W；驱动部MH，其使得放置架10向上下方向10d移动。换句话说，如图2所示，在将晶元W放置在放置架10的中央区域A1的状态下，如果将放置架10向上方10d1移动规定的高度9H，则载体头90接近放置架10并将吸入压施加于中央的贯通孔95X，据此，晶元W成为以紧贴于载体头90的膜底板92a的形式被装载的状态。

但是，在未进行化学机械研磨工艺期间，通过压力调节部95，载体头90的卡环腔室(retainer chamber)93C的压力不能得到精确地调节，因此载体头90的卡环93以向下方低垂的状态移动。不仅如此，通过移动驱动部M进行移动的载体头90的高度难以精确地调节至具有1mm之内的误差的高度。

因此，具有的问题在于，即使将装载装置1的放置架10的高度设置为一定，抓握晶元W的膜底板92a和放置于装载装置1的放置架10的晶元W之间的间距e也无法保持一定，在所述间距e比规定的间距大的情况下，产生无法使得放置于装载装置10的晶元W装载于载体头90的错误。

为了解决上述问题，如图3所示，在现有技术中提出如下一种方案：在晶元装载装置1的边缘以通过弹簧30进行弹性支撑的状态设置有首先与载体头9的卡环93接触的可动接触部20。据此，与膜93的底板相比，向下方低垂的卡环93与可动接触部20接触，随着载体头9向下方移动，通过卡环93按压可动接触部20的同时可更精确地调节膜92的底板92a与装载装置1的晶元W之间的间隙,晶元W被吸附固定于膜92的底板92a。

但是，相对于载体头9的放置架10的位置(中心对齐位置)只要有一点偏差，如图4所示，也会产生如下严重的问题：在载体头9向下方移动9d的同时，卡环93的底面93a和晶元W的边缘产生碰撞，从而晶元W的位置发生偏离，不仅无法正确地将晶元W装载于载体头9，还会引起晶元W的损伤。

由此，最近就将晶元W从装载装置1装载至载体头9而言，正在进行多种用于以排除晶元W的损伤可能性的状态无误地进行装载的研究，但目前尚有不足，需要对此的开发。

实用新型内容