[实用新型]一种MOSFET封装结构有效
| 申请号： | 201821419307.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208873714U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 葛诗方;葛俊华;吴云霞 | 申请（专利权）人： | 宁波方达新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/367 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 刘凤钦 |
| 地址： | 315609 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导热壳体 弹性部 固定结构 封装 绝缘性 热壳体 本实用新型 拆装方便 导热效果 回弹性 上开口 保证 延伸 | ||
1.一种MOSFET封装结构，包括导热壳体(1)和用以将MOSFET芯片(100)固定在导热壳体(1)上的固定结构(2)，其特征在于：所述固定结构(2)包括与导热壳体(1)第一端相连接的连接部(21)和由连接部(21)向导热壳体(1)第二端延伸的弹性部(22)，所述弹性部(22)始终具有将MOSFET芯片(100)压设在导热壳体(1)上的趋势。
2.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述弹性部(22)具有向远离导热壳体(1)一侧延伸的弧形段(221)，所述弧形段(221)的一端与连接部(21)相连接，另一端设置有与MOSFET芯片(100)接触的按压段(222)。
3.根据权利要求2所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述弧形段(221)与按压段(222)、弧形段(221)与连接部(21)之间均呈圆滑过渡。
4.根据权利要求3所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述按压段(222)尾部具有向上延伸的卷边(223)。
5.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述弹性部(22)为多个并沿连接部(21)的长度方向间隔设置，相邻两个弹性部(22)之间形成便于取放MOSFET芯片(100)的通槽(23)。
6.根据权利要求1～5中任一权利要求所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述导热壳体(1)在邻近第一端的位置上具有向上延伸的台阶(11)，在MOSFET芯片(100)处于装配完成状态下，所述MOSFET芯片(100)的后端部与台阶(11)前端相抵靠。
7.根据权利要求6所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述连接部(21)通过连接件(3)固定在该台阶(11)上。
8.根据权利要求7所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述连接件(3)为螺钉，所述连接部(21)和台阶(11)上对应开设有供螺钉穿过的通孔(31)。
9.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于：所述导热壳体(1)上设置有导热垫片(4)，在MOSFET芯片(100)处于装配完成状态下，所述MOSFET芯片(100)位于导热垫片(4)和弹性部(22)之间。
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