[实用新型]集成电路封装体

说明书

本实用新型是关于集成电路封装体。本实用新型的一实施例提供一集成电路封装体，其包括：封装基板，其表面设置有导电触点；晶片，其包括：第一表面；与第一表面相对的第二表面；及金属结构，其设置于第一表面；金属结构与导电触点连接，且与晶片的第一表面、封装基板的表面共同形成空腔；胶膜，其从封装基板的表面延伸至至少高于晶片的第一表面的高度并围封空腔；及封装体，其覆盖封装基板、胶膜及晶片。本实用新型可以低成本实现高度可靠的产品质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是涉及集成电路封装体和制造集成电路封装体的方法。

背景技术

声表面波(Surface acoustic wave,SAW)滤波器是通讯设备中必备的部件之一。当将SAW滤波器晶片或芯片(以下统称为“SAW滤波器晶片”)集成至半导体封装基板的表面上时，需要保证存在容纳SAW滤波器的叉指换能器(Inter-Digital Transducer,IDT)的空腔，以实现IDT滤波的作用。除了要满足形成且保护空腔的条件外，还需保证封装产品具有良好的可靠性且能够实现快速量产。

对于如何实现快速并批量封装SAW滤波器晶片，同时保证封装后的产品具有良好的可靠性，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供集成电路封装体及制造集成电路封装体的方法，其可以简单的制程和工艺实现低成本高质量的集成电路封装体。

本实用新型的一实施例提供一集成电路封装体，其包括：封装基板，其表面设置有导电触点；晶片，其包括：第一表面；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；及金属结构，其设置于所述第一表面；所述金属结构与所述导电触点连接，且与所述晶片的第一表面、所述封装基板的表面共同形成空腔；胶膜，其从所述封装基板的表面延伸至至少高于所述晶片的第一表面的高度并围封所述空腔；及封装体，其覆盖所述封装基板、所述胶膜及所述晶片。

在本实用新型的另一实施例中，所述胶膜由加工流动性差的胶体或干膜形成。在本实用新型的又一实施例中，所述胶膜覆盖晶片的第二表面。在本实用新型的另一实施例中，所述胶膜的厚度至少大于1微米。在本实用新型的又一实施例中，所述封装体及胶膜由不同的材料形成，形成封装体的材料的加工流动性大于形成胶膜的材料的加工流动性。在本实用新型的另一实施例中，形成所述封装体的材料的热膨胀系数与形成所述封装基板的材料的热膨胀系数相近。在本实用新型的又一实施例中，所述晶片是滤波器晶片。

本实用新型的另一实施例提供一制造集成电路封装体的方法，其包括：提供封装基板，所述封装基板包括表面，所述表面设置有导电触点；提供晶片，所述晶片包括：第一表面；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；及金属结构，其设置于所述第一表面；将所述晶片设置于所述封装基板的表面，其中所述金属结构经配置以连接至所述导电触点，且与所述晶片的第一表面、所述封装基板的表面之间形成空腔；设置胶膜于所述封装基板的表面，以使得所述胶膜从所述封装基板的表面延伸至至少高于所述晶片的第一表面的高度且围封所述空腔；及形成封装体，所述封装体至少覆盖所述封装基板的表面、所述胶膜及所述晶片。

本实用新型实施例提供的集成电路封装体及其制造方法不仅能够保证IDT空腔的完整，还能够保证封装后的产品具有良好的可靠性，实现集成电路封装体快速批量生产的目的，且还具有制造工艺简单及制造成本低等诸多优点。

附图说明

在下文中将简要地说明为了描述本实用新型实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本实用新型实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本实用新型中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可以根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。

图1是根据本实用新型一实施例的集成电路封装体的纵向截面示意图