[实用新型]金属围墙

说明书

本实用新型提供了一种金属围墙，包括：表层，其为固定连接于网格层上端的可以导电的实心片材，高度不高于2mm；网格层，其附着于过渡层的上表面并由与表层相同材料制备的中空网格组成，高度为1‑4mm；基板，其为支撑表层和网格层的平整陶瓷板，厚度在4mm以下；过渡层，通过电镀固定连接于基板和网格层之间的金属片材，以提高网格层和基板的结合力。该金属围墙解决了金属与非金属之间的润湿性问题，首次实现在非金属基板上打印金属零部件，且结合强度大，完全满足使用需求。

技术领域

本实用新型涉及一种固定半导体器件的围墙，特别涉及一种适用于芯片的3D打印制得的金属围墙。

背景技术

近年来，半导体器件和集成电路发展迅速，其应用也日益广泛。芯片是集成电路的载体，芯片的制备和组装是半导体器件的重要组成部分。

芯片的制备和封装工艺中，芯片的封装基板需要具有导电作用才能实现芯片电路连接的作用。目前，芯片的封装基板往往采用电镀处理，使基板具有电导性，并符合芯片的气密性要求。

然而，电镀处理工艺中，需要一层一层将电镀金属结合到封装基板上，处理工艺时间长，步骤复杂；由于多层分次处理，使得层结构之间、封装基板和电镀金属之间的结合力比较弱，非常容易剥落，导致芯片的导电性或气密性等性能变差。另外，在电镀处理中往往需要使用镍、金等重金属离子，增加了电镀废液的处理难度；也很容易造成严重的环境污染。

基于上述问题，本发明人对现有技术进行改进，研究出一种适用于固定和封装芯片的金属围墙。

实用新型内容

为了解决上述问题，本发明人进行了锐意研究，提供了一种适用于固定和封装芯片的3D打印制得的金属围墙，结果发现：通过设置过渡层，可以很好地解决不同性质的材料相互结合时难度大的问题；并且，采用网格的方式控制围墙和陶瓷基板的接触面积，可以减少基板承受的热应力，保持其平整度，从而完成了本实用新型。

本实用新型的目的在于提供一种金属围墙，该用于固定半导体器件的金属围墙包括：

表层1，其为固定连接于网格层2上端的可以导电的实心片材，高度不高于2mm；

网格层2，其附着于过渡层3的上表面并由与表层1相同材料制备的中空网格组成，高度为1-4mm；

基板4，其为用于支撑表层1和网格层2的平整陶瓷板，厚度在4mm以下；

过渡层3，其为通过电镀固定连接于基板4和网格层2之间的金属片材，以提高网格层2和基板4的结合力。

所述网格层2中网格线相互交错呈菱形；并且，表层1和网格层2环绕形成用于安装半导体器件的设定的封闭形状。

根据本实用新型提供的金属围墙，具有以下有益效果：

(1)本实用新型提供的金属围墙解决了金属与非金属之间的润湿性问题，首次实现在非金属基板上打印金属零部件，且结合强度大，完全满足使用需求；

(2)本实用新型提供的金属围墙可以实现定制化、个性化；相较传统的电镀加工工艺，本实用新型提供的金属围墙加工效率高，制备周期短，且完全解决了电镀的污染问题；

(3)本实用新型提供的金属围墙中，通过精确设置网格层2和表层1，精确控制了金属围墙生长过程的能量输入问题，避免了非金属的基板变形和开裂。

附图说明

图1示出一种优选实施方式中金属围墙中网格层的结构示意图；

图2示出一种优选实施方式中金属围墙中多个围墙的结构示意图；

图3示出一种优选实施方式中金属围墙的表层和网格层的连接示意图；

图4示出一种优选实施方式中金属围墙的层结构示意图。