[实用新型]金属围墙

权利要求书

1.一种金属围墙，其特征在于，该用于固定半导体器件的金属围墙包括：

表层(1)，其为固定连接于网格层(2)上端的可以导电的实心片材，高度不高于2mm；

网格层(2)，其附着于过渡层(3)的上表面，并由与表层(1)相同材料制备的中空网格组成，高度为1-4mm；

基板(4)，其为用于支撑表层(1)和网格层(2)的平整陶瓷板，厚度在4mm以下；和，

过渡层(3)，其为通过电镀固定连接于基板(4)和网格层(2)之间的金属片材，以提高网格层(2)和基板(4)的结合力。

2.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述表层(1)的高度在1.5mm以下。

3.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述表层(1)的高度在1mm以下。

4.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述表层(1)和网格层(2)环绕形成用于安装半导体器件的设定的封闭形状；

网格层(2)的高度为2-4mm。

5.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述网格层(2)中网格厚度为0.1-0.3mm。

6.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述网格层(2)中网格厚度为0.15-0.25mm。

7.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述网格层(2)中网格线相互交错呈菱形，相邻两平行网格线的间距不超过1.0mm。

8.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述网格层(2)中相邻两平行网格线的间距在0.8mm以下。

9.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述过渡层(3)的厚度为0.1-2μm。

10.根据权利要求1所述的金属围墙，其特征在于，所述过渡层(3)的厚度为0.3-1.5μm。