[实用新型]一种增加集成电路逆向工程难度的芯片有效
申请号: | 201821354552.2 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN209199097U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 丁仲;丁柯;张崇茜 | 申请(专利权)人: | 北京芯愿景软件技术有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100095 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逻辑单元 逆向工程 芯片 集成电路 本实用新型 版图结构 标准单元 逻辑功能 自动识别 填充率 植入性 电路 改造 | ||
1.一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:包括具有逻辑功能的电路,至少一个或者多个对逻辑单元进行改造的逻辑单元,改造后的逻辑单元的版图结构变大,增加了原本相同的单元实例版图的差异。
2.根据权利要求1所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:改造后的逻辑单元增加了有源多边形。
3.根据权利要求2所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:增加的有源多边形为NR多边形。
4.根据权利要求2所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:增加的有源多边形为PR多边形。
5.根据权利要求2所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:增加的有源多边形为NR和PR多边形。
6.根据权利要求1所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:改造后的逻辑单元增加了晶体管。
7.根据权利要求6所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:改造后的逻辑单元增加了无为晶体管。
8.根据权利要求6所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:改造后的逻辑单元增加了有为晶体管。
9.根据权利要求6、7或者8所述的一种增加集成电路逆向工程难度的芯片,其特征在于:晶体管可以填充在标准单元的内部,也可以填充在标准单元的外部。
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