[实用新型]集成封装结构

说明书

本实用新型公开了集成封装结构，包括封装设置在外围的塑封层，塑封层的内部自下至上依次堆叠设置有第二芯片和基板；基板上开设有第一芯片放置窗和第二凸点放置窗，第一芯片放置窗内设置有填充层以及封装在填充层内的第一芯片，第一芯片的上端设置有第一焊盘、与第一焊盘电性连接的第一凸点以及与第一凸点电性连接并凸出塑封层的第一焊球；所述第二芯片的上端设置有第二焊盘、与第二焊盘电性连接的第二凸点以及与第二凸点电性连接并凸出塑封层的第二焊球。本实用新型结通过在基板上封装设置第一芯片和第二芯片，并在第一芯片上设置第一焊球，在第二芯片上设置第二焊球的方式，使得本实用新型快速高效地进行封装作业，封装后的可靠性很高。

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装技术领域，特别是一种集成封装结构。

背景技术

随着电子工程的发展，人们对于集成电路(Integrated Circuit，简称IC)芯片小型化、轻量化及功能化的需求日渐增加，从最开始的单一组件的开发阶段，逐渐进入到了集结多个组件的系统开发阶段，与此同时在产品高效能及外观轻薄的要求下，不同功能的芯片开始迈向整合的阶段，因此封装技术的不断发展和突破，成为推动整合的力量之一。多芯片封装技术的一个最重要的应用—系统级封装(System in Package，简称：SiP)概念随即被提出，SiP作为一种封装技术是指通过将多芯片集中于一个单一封装内，从而使芯片获得系统功能，其具体的封装形式千变万化，可依照客户或产品的需求对于不同的芯片排列方式及内部接合技术进行生产，从而满足不同的市场需求。

目前的比较成熟的SiP技术主要是堆叠封装即POP封装。现有的POP封装中，主要有：

1.两个独立的封装体通过焊球来实现电性连接及外部PCB板的连接。但是该方案的缺点主要是由于上下2个独特的封装体的结构差异，可能会影响焊球连接结构的可靠性。

2.WB(打线)的形式通过金属打线来连接两芯片间的焊垫，最后将打线引到基板上。但是该方案的缺点主要是通过打线方式进行连接，这样就存在导线过长、单一导线所需的弯折点变多，以及导线之间的交错排列而相对提高了耗材成本，可靠性不高，同时，也不利于整体尺寸的微型化设计趋势。

3.通过干法刻蚀或者激光打孔的方式形成TSV(硅通孔)，以TSV来连接各层芯片。但是该方案的缺点主要是TSV难度大，成本高。

实用新型内容

本实用新型需要解决的技术问题是提供了集成封装结构，以解决现有的 POP封装焊球连接结构的可靠性差、耗材成本高、整体尺寸大、难度大的问题，以提高产品质量，节约生产成本。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案如下。

集成封装结构，包括封装设置在外围对装置整体进行高效密封的塑封层，塑封层的内部自下至上依次堆叠设置有第二芯片和基板；基板上开设有第一芯片放置窗和第二凸点放置窗，第一芯片放置窗内设置有填充层以及封装在填充层内的第一芯片，第一芯片的上端设置有第一焊盘、与第一焊盘电性连接并穿过填充层的第一凸点以及与第一凸点电性连接并凸出塑封层的第一焊球；所述第二芯片的上端设置有第二焊盘、与第二焊盘电性连接并穿过第二凸点放置窗的第二凸点以及与第二凸点电性连接并凸出塑封层的第二焊球。

进一步优化技术方案，所述第二芯片的长度大于第一芯片的长度。

进一步优化技术方案，所述第二芯片与第一芯片之间设置有胶粘层。

由于采用了以上技术方案，本实用新型所取得技术进步如下。

本实用新型结构简单、设计合理，通过在基板上封装设置第一芯片和第二芯片，并在第一芯片上设置第一焊球，在第二芯片上设置第二焊球的方式，使得本实用新型快速高效地进行封装作业，且封装后的厚度很薄，封装十分方便、成本低廉，封装后的可靠性很高。

附图说明