[实用新型]晶圆级封装装置有效
| 申请号： | 201821307619.7 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN208507651U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王顺伟;良仁勇;周志雄;弗朗西斯·J·卡尼 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 金属层 电触点 侧面 晶圆级封装 模塑料 指向 电耦 密封 申请 | ||
1.一种晶圆级封装装置，其特征在于包含：
金属层；
第一半导体裸片，所述第一半导体裸片具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一半导体裸片的所述第一侧面设置在所述金属层上；
第二半导体裸片，所述第二半导体裸片具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第二半导体裸片的所述第一侧面设置在所述金属层上，所述金属层将所述第一半导体裸片的所述第一侧面与所述第二半导体裸片的所述第一侧面电耦接；
模塑料，所述模塑料至少部分地密封所述金属层、所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片；
第一电触点，所述第一电触点在所述第一半导体裸片的所述第二侧面上，所述第一电触点设置在所述装置的表面上；和
第二电触点，所述第二电触点在所述第二半导体裸片的所述第二侧面上，所述第二电触点设置在所述装置的所述表面上。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装装置，其特征在于：
所述第一电触点和所述第二电触点穿过所述模塑料暴露；
所述第一电触点包含所述第一半导体裸片的所述第二侧面的至少一部分；并且
所述第二电触点包含所述第二半导体裸片的所述第二侧面的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装装置，其特征在于所述第一电触点包含设置在所述第一半导体裸片的所述第二侧面上的第一焊料凸块，并且所述第二电触点包含设置在所述第二半导体裸片的所述第二侧面上的第二焊料凸块。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装装置，其特征在于所述金属层包含实心金属板的一部分或图案化金属板的一部分中的一者。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装装置，其特征在于：
所述金属层包含设置在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间的凹槽；并且
所述模塑料设置在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装装置，其特征在于：
所述第一半导体裸片包含第一二极管；并且
所述第二半导体裸片包含金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或第二二极管中的一者。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装装置，其特征在于还包含第三电触点，所述第三电触点在所述第一半导体裸片的所述第二侧面上，所述第三电触点设置在所述装置的所述表面上，
所述第一电触点与所述MOSFET的源极端子电耦接，所述第三电触点与所述MOSFET的栅极端子电耦接，并且所述金属层与所述MOSFET的漏极端子电耦接。
8.一种晶圆级封装装置，其特征在于包含：
金属层；
第一半导体裸片，所述第一半导体裸片具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一半导体裸片的所述第一侧面设置在所述金属层上；
第二半导体裸片，所述第二半导体裸片具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第二半导体裸片的所述第一侧面设置在所述金属层上，所述金属层将所述第一半导体裸片的所述第一侧面与所述第二半导体裸片的所述第一侧面电耦接；
模塑料，所述模塑料至少部分地密封所述金属层、所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片；
第一导电柱，所述第一导电柱设置在所述第一半导体裸片的所述第二侧面上，并与之电耦接，所述第一导电柱穿过所述模塑料暴露在所述装置的表面上；和
第二导电柱，所述第二导电柱设置在所述第二半导体裸片的所述第二侧面上，并与之电耦接，所述第二导电柱穿过所述模塑料暴露在所述装置的所述表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司，未经半导体组件工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821307619.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
