[实用新型]一种LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片，包括衬底、发光结构和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与发光结构相接触。本实用新型在不影响芯片电压的情况下，降低电极面积占有效发光面积的比例，提高芯片亮度。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

传统LED芯片的N型电极和P型电极均设置在发光层的表面，用于增加芯片的电流扩展。如图1所示，图1是传统LED芯片的示意图，由于电极由金属制成，位于发光层表面的电极会阻挡发光层发出的光从芯片的正面出射，减少芯片有效发光面积，从而降低芯片的亮度。其中，芯片电极的面积越大，芯片的有效发光面积越小，亮度越低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片，电极面积占有效发光面积的比例低，亮度高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种LED芯片，包括衬底、发光结构和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与发光结构相接触。

作为上述方案的改进，所述悬空部与本体的轴心相同，且所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为10-15微米。

作为上述方案的改进，所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为12-14微米。

作为上述方案的改进，所述本体的高度为1.3-1.5微米，所述悬空部的高度为1.5-2微米。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的电流阻挡层，以及设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层。

作为上述方案的改进，所述第一电极和第二电极的结构均为Rh/W/Ti/W/Ti/W/Ti/W/Ti/Pt/Au。

作为上述方案的改进，第一电极和第二电极的每层厚度为：Rh：W：Ti：W：Ti：W：Ti：W：Ti：Pt：Au：

实施本实用新型，具有如下有益效果：

1、本实用新型提供的LED芯片，电极面积和传统LED芯片电极的面积相同，由于本体的面积小于传统LED芯片电极的面积，即，本实用新型电极与透明导电层、第一半导体层的接触面积减少，从而减少电极面积占发光面积的比例，提高芯片的有效发光面积，在不影响芯片电压的情况下，提高芯片的亮度。此外，还可以节省部分电极的原料，降低成本。

附图说明

图1为现有LED芯片的示意图；

图2是本实用新型LED芯片的结构示意图；

图3是本实用新型LED芯片的示意图；

图4是本实用新型LED芯片的制作流程图；

图4a是本实用新型LED晶圆的结构示意图；

图4b是本实用新型LED晶圆形成第三孔洞后的结构示意图；

图4c是本实用新型LED晶圆形成第五孔洞后的结构示意图；

图4d是本实用新型LED晶圆除去光刻胶后的结构示意图。

具体实施方式