[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201821304442.5 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN208538901U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 悬空部 本实用新型 第二电极 第一电极 发光结构 有效发光面积 影响芯片 衬底 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与发光结构相接触。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述悬空部与本体的轴心相同，且所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为10-15微米。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为12-14微米。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述本体的高度为1.3-1.5微米，所述悬空部的高度为1.5-2微米。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的电流阻挡层，以及设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和第二电极的结构均为Rh/W/Ti/W/Ti/W/Ti/W/Ti/Pt/Au。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，第一电极和第二电极的每层厚度为：Rh：W：Ti：W：Ti：W：Ti：W：Ti：Pt：Au：
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