[实用新型]一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器

说明书

本实用新型公开了一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，包括四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器，所述四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器依次串联连接，所述四倍倍频器的输入端连接外电路的输出端，所述输出放大器的输出端连接外电路的输入端；本实用新型采用特殊匹配结构，在完成阻抗匹配的同时，兼顾提供直流及抑制非目标谐波信号；本实用新型提供的核心芯片倍频次数高、输出频率高，可广泛应用与雷达、通信、仪器仪表应用程序以及被动或主动成像。

技术领域

本实用新型涉及无线通信领域，具体地，涉及一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器。

背景技术

根据频率划分，毫米波一般是指的波长介于1mm-10mm的电磁波，其中W波段是毫米波中的重要频段，随着无线通信的发展，W波段高次倍频器得到了广泛的应用，应用范围包括该波段的雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器等。在此前提下，人们对倍频器芯片提出了越来越高的要求，如超宽带、高次倍频、高谐波抑制度、低功耗和小型化等。

倍频器芯片(FM，Frequency Multiplier)是用作各类信号源模块或系统的信号频率倍增的器件，无论作为单独工作倍频器件还是集成于大型复杂信号源系统中，均起着核心作用。应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，高次倍频、高性能的倍频器芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种X波段到W波段的高性能GaAs8倍倍频器，

本实用新型采用下述的技术方案：

一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，包括四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器，所述四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器依次串联连接，所述四倍倍频器的输入端连接外电路的输出端，所述输出放大器的输出端连接外电路的输入端；

所述四倍倍频器包括输入匹配电路、第一场效应管，所述输入匹配电路和第一场效应管的栅端串联连接；所述缓冲器包括第一级级间匹配电路、第二场效应管，所述第一级级间匹配电路和第二场效应管的栅端串联连接；所述二倍倍频器包括第二级级间匹配电路、第三场效应管，所述第二级级间匹配电路和第三场效应管的栅端串联连接；所述输出放大器包括第三级级间匹配电路、第四场效应管、第四级级间匹配电路、第五场效应管、第五级级间匹配电路、第六场效应管、输出匹配电路，所述第三级级间匹配电路、第四场效应管、第四级级间匹配电路、第五场效应管、第五级级间匹配电路、第六场效应管依次串联连接；

所述输入匹配电路、第二级级间匹配电路的下端均设有栅端偏置电路，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管的漏端均设有漏端偏置电路，源极均接地。

优选的，所述栅端偏置电路包括R1电阻、电阻R2、微带线M1、电容C1、电容C2、电容C3，所述R1电阻、电阻R2、微带线M1串联连接，R1电阻上端连接Vg端，所述电容C1、电容C2并联连接后左端连接在R1电阻和电阻R2之间的连接线路上，右端接地，所述电容C3左端连接R2下端，右端接地，所述微带线M1的下端连接输入匹配电路、第二级级间匹配电路。

优选的，所述漏端偏置电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、微带线M2、电容C4、电阻R6、电容C5、电容C6，所述电阻R3、电阻R4、电阻R5、微带线 M2依次串联连接，R3的上端连接Vd端，微带线M2的下端连接述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管的漏端，所述电容C4和电阻R6串联连接后与电容C5并联，所述电容C4、电容 C5的左端均连接在电阻R3和电阻R4之间的连接线路上，所述电容C5、电阻R6的右端均接地，所述电容C6的左端连接在电阻R4和电阻R5之间的连接线路上， C6的右端接地。