[实用新型]一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器

权利要求书

1.一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于，包括四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器，所述四倍倍频器、缓冲器、二倍倍频器、输出放大器依次串联连接，所述四倍倍频器的输入端连接外电路的输出端，所述输出放大器的输出端连接外电路的输入端；

所述四倍倍频器包括输入匹配电路、第一场效应管，所述输入匹配电路和第一场效应管的栅端串联连接；所述缓冲器包括第一级级间匹配电路、第二场效应管，所述第一级级间匹配电路和第二场效应管的栅端串联连接；所述二倍倍频器包括第二级级间匹配电路、第三场效应管，所述第二级级间匹配电路和第三场效应管的栅端串联连接；所述输出放大器包括第三级级间匹配电路、第四场效应管、第四级级间匹配电路、第五场效应管、第五级级间匹配电路、第六场效应管、输出匹配电路，所述第三级级间匹配电路、第四场效应管、第四级级间匹配电路、第五场效应管、第五级级间匹配电路、第六场效应管依次串联连接；

所述输入匹配电路、第二级级间匹配电路的下端均设有栅端偏置电路，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管的漏端均设有漏端偏置电路，源极均接地。

2.根据权利要求1所述的一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于，所述栅端偏置电路包括R1电阻、电阻R2、微带线M1、电容C1、电容C2、电容C3，所述R1电阻、电阻R2、微带线M1串联连接，R1电阻上端连接Vg端，所述电容C1、电容C2并联连接后左端连接在R1电阻和电阻R2之间的连接线路上，右端接地，所述电容C3左端连接R2下端，右端接地，所述微带线M1的下端连接输入匹配电路、第二级级间匹配电路。

3.根据权利要求2所述的一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于所述漏端偏置电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、微带线M2、电容C4、电阻R6、电容C5、电容C6，所述电阻R3、电阻R4、电阻R5、微带线M2依次串联连接，R3的上端连接Vd端，微带线M2的下端连接述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管的漏端，所述电容C4和电阻R6串联连接后与电容C5并联，所述电容C4、电容C5的左端均连接在电阻R3和电阻R4之间的连接线路上，所述电容C5、电阻R6的右端均接地，所述电容C6的左端连接在电阻R4和电阻R5之间的连接线路上，C6的右端接地。

4.根据权利要求3所述的一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于，所述输入匹配电路包括电感L1、电感L3、电容C7、微带线M3、电感L2，所述电感L1、电感L3、电容C7、微带线M3依次串联连接，所述电感L1的左端连接外电路的输出端，微带线M3的右端连接第一场效应管的栅端，所述电感L2的上端连接在电感L1和电感L3之间的连接线路上，下端接地。

5.根据权利要求4所述的一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于，所述第一级级间匹配电路包括电容C8、电容C9、电容C10、微带线M4、微带线M5，所述电容C8、电容C9、电容C10、微带线M4、微带线M5依次串联连接，所述电容C8的左端连接第一场效应管的漏端，微带线M5的右端连接第二场效应管的栅端，所述电容C8和电容C9之间、电容C9和电容C10之间、电容C10和微带线M4之间、微带线M4和微带线M5之间均分别设有微带线M6、微带线M7、微带线M8、微带线M9。

6.根据权利要求5所述的一种X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍频器，其特征在于，所述第二级级间匹配电路包括电容C11、微带线M10、电容C12、微带线M11，所述电容C11、微带线M10、电容C12、微带线M11依次串联连接，所述电容C11的左端连接第二场效应管的漏端，微带线M11的右端连接第三场效应管的栅端，所述微带线M10、电容C12之间连接的线路上设有微带线M12。