[实用新型]芯片器件、电路板及数字货币挖矿机

说明书

本公开提出了一种芯片器件，包括：至少一个芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；形成并覆盖在所述晶粒的裸露背部上的金属介质层；以及覆盖在所述金属介质层上的散热层，其中，所述散热层延伸超出所述裸露背部的边缘。通过以上结构，改善了该芯片器件的散热效率。另外还公开了一种包括该芯片器件的电路板及数字货币挖矿机。

技术领域

本实用新型涉及芯片散热技术领域，具体涉及芯片器件、包括该芯片器件的电路板及数字货币挖矿机，其中该芯片器件带有高效散热结构。

背景技术

随着芯片技术的不断发展，芯片的运行速度越来越快，处理能力越来越强，同时芯片在运行时产生的热量通常也会越多，这就需要采用更加高效的散热结构对芯片进行散热，避免芯片在运行时温度过高而导致芯片运行速度下降甚至芯片损坏。

在现有技术中，例如在中国专利申请公开CN107507813A中公开了一种散热片及安装了这种散热片的芯片，其中散热片包括底片和与底片连接的多个竖片，散热片的底片与芯片贴合，用于对芯片进行散热。但是，该散热片的底片仅部分与芯片贴合，因此导致散热片与芯片的接触面积小，使得从芯片到散热片的热传递效率不高，从而散热片对芯片的散热效果并不理想。

实用新型内容

鉴于上述问题，提出了一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的芯片器件、电路板及数字货币挖矿机，用于解决现有技术中存在的芯片散热不够高效的缺陷。

依据本实用新型的第一方面，提供了一种芯片器件，包括：

至少一个芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；

形成并覆盖在所述晶粒的裸露背部上的金属介质层；以及

覆盖在所述金属介质层上的散热层；其中，所述散热层延伸超出所述裸露背部的边缘。

上述晶粒的背部是指当芯片安装在电路板上时，晶粒的、背向电路板的那一表面，即，与晶粒的面向电路板的表面相对的表面。背部裸露的晶粒的封装形式可以为ExposedDie形式，但是又不限于该封装形式，例如也可以是Bare Die、FCBGA(Flip Chip Ball GridArray，覆晶式球栅阵列封装结构)、FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package，倒装芯片芯片级封装)、WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package，晶圆级芯片级封装)、InFO(Integrated Fan-Out，集成扇出型晶圆级封装结构)/FOWLP(Fan Out Wafer LevelPackage，扇出型晶圆级封装结构)/FOPLP(Fan-Out Panel Level Package，扇出型面板级封装结构)、LGA(Land Grid Array，栅格阵列封装)等其它封装形式，只要晶粒背部裸露未被封装即可用于本实用新型的技术方案中，甚至晶粒的背面及四周均未封装时亦可适用于本实用新型的技术方案，或者也可以是在对晶粒封装之后再对该封装进行处理以使晶粒背部裸露出来，本实用新型不限于此。

优选地，所述芯片器件还可以包括：设置在所述散热层上的散热片。

优选地，在所述芯片器件中，金属介质层通过晶背金属化过程(BackSideMetallization process)形成在晶粒的背部上。

优选地，在所述芯片器件中，芯片还包括封装所述晶粒的封装部，封装部暴露晶粒的背部，且散热层覆盖所述晶粒以及晶粒周围的至少一部分封装部。

优选地，在所述芯片器件中，金属介质层形成为使得金属介质层的、面向散热层的上表面与封装部的、面向散热层的上表面在同一平面中。

优选地，在所述芯片器件中，金属介质层与晶粒直接接触，并且与散热层直接接触。

优选地，在所述芯片器件中，散热层由金属制成，并且通过焊接或通过热界面材料粘接而设置在金属介质层上。