[实用新型]掩模版清洁装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版清洁装置。所述掩模版清洁装置，包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机，还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件；所述吹扫组件连接所述曝光机，用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标，并根据所述坐标对所述掩膜版进行吹扫，以清除所述掩模版上的颗粒物。本实用新型实现了对掩模版的自动清洁，避免了人工清洁方式的繁琐操作。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版清洁装置。

背景技术

在集成电路制造过程中，光刻工艺根据电路设计图在半导体晶圆上定义集成电路的图案。通常，首先根据电路设计图制作掩模版，即在掩模版原片(Blank)上刻写形成电路图案，然后在半导体晶圆表面覆盖光刻胶层，接着在具有电路图案的掩模版的遮挡下对半导体晶圆进行曝光，再经过显影，掩模版中的电路图案被转移至光刻胶层，于是，半导体晶圆表面形成了暴露的区域和被光刻胶覆盖的区域。上述光刻工艺完成后，将半导体晶圆传送到后续工艺阶段，进行后续的加工，例如刻蚀、氧化、扩散等。

由于最后形成的所有电路元器件均是根据掩模版图案制作的，因此，光刻工艺为集成电路制造过程中的关键步骤，其中，掩模版用于在半导体晶圆上形成电路图案，如果掩模版的质量较差会直接导致光刻工艺的质量不符合要求，例如掩模版表面颗粒物的存在，会导致光刻质量下降，从而严重影响半导体晶圆加工的良率。

为了避免这一问题，现有光刻工艺中使用的掩模版在曝光前和曝光后，工作人员都会将其放入曝光机进行在线缺陷的检查。曝光机中的检测系统对掩模版的正方两面分别进行扫描，一旦发现颗粒物，会记录下颗粒物在掩模版表面的位置坐标并发出警报。工作人员看到警报后会将掩模版退出曝光机，并将其转移至掩模版移载机上，根据记录的颗粒物坐标位置采用人工肉眼寻找的方式在掩模版上找到颗粒物并去除，然后再次将掩模版放回曝光机，再次进行颗粒物检测，如此往复，直至掩模版上颗粒物全部清除。这种清除掩模版上颗粒物的方式，由于需要掩模版多次载入、载出曝光机，且需要人工手动寻找、去除颗粒物，操作相当繁琐，严重降低了掩模版的清洁效率；而且，掩模版多次载入、载出曝光机的过程中，外界环境或者曝光机内部的颗粒物也容易掉落至掩模版表面，造成二次污染。

因此，如何高效、快捷的清除掩模版上的颗粒物，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种掩模版清洁装置，用于解决现有掩模版上颗粒物清除效率低、操作繁琐的问题，以提高光刻工艺的效率。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种掩模版清洁装置，包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机，还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件；所述吹扫组件连接所述曝光机，用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标，并根据所述坐标对所述掩膜版进行吹扫，以清除所述掩模版上的颗粒物。

优选的，所述吹扫组件包括控制器和至少一氮气枪；所述控制器连接所述曝光机与所述氮气枪，用于获取所述掩膜版上颗粒物的坐标，并控制所述氮气枪朝向所述坐标处喷射氮气。

优选的，所述氮气枪喷射氮气的方向与所述掩模版所在平面的夹角为45度。

优选的，所述密闭腔室内还包括用于承载所述掩模版的承载台；至少一氮气枪包括多个氮气枪，且多个氮气枪关于所述承载台的轴向对称设置。

优选的，所述曝光机还用于检测所述颗粒物的粒径；所述控制器用于获取所述颗粒物的粒径，并根据所述粒径调整所述氮气枪喷射氮气的流速。

优选的，所述密闭腔室的相对两端分别具有第一开口和第二开口，第一气体经所述第一开口进入所述密闭腔室，以将所述密闭腔室内的所述颗粒物自所述第二开口排出。

优选的，所述第一气体为氮气。

优选的，所述密闭腔室的端部具有一第三开口，所述掩模版经所述第三开口进出所述密闭腔室。