[实用新型]掩模版清洁装置有效
申请号: | 201821285955.6 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208673040U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 张祥平;李天慧;黄晓橹;龙海凤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F7/20;B08B5/02;B08B13/00 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模版 清洁装置 颗粒物 本实用新型 吹扫组件 曝光机 半导体制造技术 密闭腔室 清洁方式 自动清洁 密闭腔 掩膜版 吹扫 容纳 室内 检测 | ||
1.一种掩模版清洁装置,包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机,其特征在于,还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件;所述吹扫组件连接所述曝光机,用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标,并根据所述坐标对所述掩模版进行吹扫,以清除所述掩模版上的颗粒物。
2.根据权利要求1所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述吹扫组件包括控制器和至少一氮气枪;所述控制器连接所述曝光机与所述氮气枪,用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标,并控制所述氮气枪朝向所述坐标处喷射氮气。
3.根据权利要求2所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述氮气枪喷射氮气的方向与所述掩模版所在平面的夹角为45度。
4.根据权利要求2所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述密闭腔室内还包括用于承载所述掩模版的承载台;至少一氮气枪包括多个氮气枪,且多个氮气枪关于所述承载台的轴向对称设置。
5.根据权利要求2所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述曝光机还用于检测所述颗粒物的粒径;所述控制器用于获取所述颗粒物的粒径,并根据所述粒径调整所述氮气枪喷射氮气的流速。
6.根据权利要求1所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述密闭腔室的相对两端分别具有第一开口和第二开口,第一气体经所述第一开口进入所述密闭腔室,以将所述密闭腔室内的所述颗粒物自所述第二开口排出。
7.根据权利要求6所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述第一气体为氮气。
8.根据权利要求6所述的掩模版清洁装置,其特征在于,所述密闭腔室的端部具有一第三开口,所述掩模版经所述第三开口进出所述密闭腔室。
9.根据权利要求8所述的掩模版清洁装置,其特征在于,还包括位于所述第三开口处的传感器和挡板;所述传感器用于检测所述掩模版是否进入所述密闭腔室,若是,则驱动所述挡板封闭所述第三开口。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备