[实用新型]半导体电容器有效
| 申请号： | 201821285583.7 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208690259U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/02;H01L21/66;C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 何金花 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极导电层 半导体电容器 本实用新型 保护层 阵列层 厚度稳定 间隔排列 晶圆产品 良率 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体电容器，包含阵列层，其特征在于，所述阵列层一面设置有间隔排列的多个栅极导电层，在所述栅极导电层上设有保护所述栅极导电层的栅极导电层保护层。
2.根据权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，所述栅极导电层保护层的厚度介于1770埃～1830埃。
3.根据权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，所述栅极导电层保护层间还设有填充层。
4.根据权利要求3所述的半导体电容器，其特征在于，所述填充层相对于所述栅极导电层保护层的另一面设有两个并列排列的存储节点接触层。
5.根据权利要求4所述的半导体电容器，其特征在于，所述存储节点接触层相对于所述阵列层的另一面设有金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体电容器，其特征在于，所述金属层间设有金属隔离层。
7.根据权利要求6所述的半导体电容器，其特征在于，所述金属隔离层材质包含氮化硅。
8.根据权利要求1-4任一所述的半导体电容器，其特征在于，所述栅极导电层保护层的材质包含氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
