[实用新型]炉门盖清理装置及半导体处理设备有效
申请号: | 201821278310.X | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN208674078U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 秋同通;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封单元 炉门盖 抽真空单元 半导体处理设备 反应腔室 密封空间 清理装置 反应副产物 抽取 表面形成 管道连接 抽真空 密封盖 腔室门 真空泵 掉落 吹落 晶圆 连通 覆盖 | ||
1.一种炉门盖清理装置,其特征在于,包括密封单元和抽真空单元,所述抽真空单元连接到所述密封单元,其中
所述密封单元包括密封盖,用于覆盖到炉门盖朝向炉管腔体的表面,并在所述炉门盖的朝向炉管腔体的表面形成密封空间;
所述抽真空单元包括真空泵,并通过管道连接至密封盖,从而连通至所述密封空间,对所述密封空间进行抽真空。
2.根据权利要求1所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述密封单元还包括密封圈,安装在所述炉门盖的朝向反应腔室的表面,与覆盖到所述炉门盖的朝向反应腔室的表面的密封盖接触,在所述炉门盖表面形成密封空间。
3.根据权利要求1所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述抽真空单元还包括第一气动阀,设置于所述真空泵与所述密封单元之间的管道上。
4.根据权利要求3所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述炉门盖清理装置还包括吹扫管路,一端连通至所述密封空间,另一端用于连接至吹扫气体源,用于向所述密封空间中通入吹扫气体。
5.根据权利要求4所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述吹扫管路连接至一第二气动阀,由所述第二气动阀控制所述吹扫管路对密封空间的吹扫。
6.根据权利要求5所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述炉门盖清理装置还包括控制单元,连接至所述第一气动阀和第二气动阀,用于控制所述第一气动阀和第二气动阀的通断。
7.根据权利要求6所述炉门盖清理装置,其特征在于,所述控制单元包括主控器与PLC可编程逻辑控制器,且所述主控器通过所述PLC可编程逻辑控制器连接至所述第一气动阀和第二气动阀。
8.一种半导体处理设备,其特征在于,包括:
清理装置,包括密封单元和抽真空单元,所述抽真空单元连接到所述密封单元,其中
所述密封单元包括密封盖,用于覆盖到反应机台的待清理区域,并在所述反应机台的待清理区域形成密封空间;
所述抽真空单元包括真空泵,通过管道连接到所述密封单元,并用于连通至所述密封空间,对所述密封空间进行抽真空;
反应机台,包括反应腔室和腔室门,其中所述腔室门包括旋转轴,且所述腔室门可绕所述旋转轴在平行于反应腔室开口的平面内旋转,且所述腔室门绕所述旋转轴旋转打开后,所述密封盖覆盖于所述腔室门朝向反应腔室的表面,在所述腔室门朝向反应腔室的表面形成密封空间。
9.根据权利要求8所述半导体处理设备,其特征在于,所述密封单元还包括密封圈,且所述密封圈安装于所述腔室门朝向反应腔室的表面,与覆盖到所述腔室门朝向反应腔室的表面的密封盖接触,在所述腔室门朝向反应腔室的表面形成密封空间。
10.根据权利要求8所述半导体处理设备,其特征在于,所述抽真空单元还包括第一气动阀,设置于所述真空泵与所述密封单元之间的管道上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造