[实用新型]一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板

说明书

本实用新型公开了一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板，包括双面DBC板，DBC板分为与输出端子V₀连接的第一DBC板和第二DBC板，第一DBC板和第二DBC板上分别设置有与外部连接的压焊端子和功率MOSFET模块，功率MOSFET模块中包括至少1组并联的2个功率MOSFET，每组功率MOSFET之间并联，每组的2个功率MOSFET的栅极分别与2个栅极控制端连接，2个栅极控制端由外部电路控制连接，2个功率MOSFET的源极共同连接到1个源极控制端和源极输出回路。本实用新型能够有效地降低在大电流应用时产生的不良的尖峰脉冲信号，确保器件工作中不会发生上下桥直通的情况，进而发生MOS器件烧毁。

技术领域

本实用新型属于DBC基板技术领域，具体涉及一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板。

背景技术

DBC基板在电力电子模块技术中，主要是作为各种芯片如IGBT芯片、Diode芯片、电阻、SiC芯片等的承载体，DBC基板通过表面覆铜层完成芯片部分连接极或者连接面的连接，功能近似于PCB板。MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，用于如电动自行车、三轮车、低速电动车电力电子器件模块的DBC基板电路，可采用MOSFET管组构成，其中均分成两组组成上桥和下桥。在器件工作中，上下桥不能同时导通，否则MOS管将被烧毁。由于布线等的问题，在MOS管的关断和开启过程中，将在G(栅)极等产生电压尖峰脉冲。现有用于电机驱动的电力电子器件模块的DBC基板电路布局中存在的寄生电感大，容易引起电压尖峰脉冲，电路在工作的过程中，因电压的尖峰脉冲，使MOS器件发生误动作，从而损坏MOS管。对于电力电子器件模块的DBC基板电路，需要有效地降低这些不良的尖峰脉冲信号，确保器件工作中不会发生上下桥直通的情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：解决目前电力电子器件MOS模块的DBC基板的半桥式驱动电路布局中存在的寄生电感大，容易引起电压尖峰脉冲，使电路在工作的过程中MOS器件发生误动作，从而损坏MOS管的问题，提出一种用于电力电子器件模块的DBC基板电路，有效地降低这些不良的尖峰脉冲信号。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板，包括双面DBC板，DBC板分为与V₀连接的第一DBC板和第二DBC板，第一DBC板和第二DBC板上分别设置有与外部连接的压焊端子和功率MOSFET模块，功率MOSFET模块中包括至少1组并联的2个功率MOSFET，每组功率MOSFET之间并联，每组的2个功率MOSFET的栅极分别与2个栅极控制端连接，2个栅极控制端由外部电路控制连接，2个功率MOSFET的源极共同连接到1个源极控制端和源极输出回路。

进一步，所述第一DBC板和第二DBC板上分别设置有至少1个功率MOSFET模块。

进一步，所述栅极控制端和源极控制端在DBC板的两侧均设置有引出的外接端子，用于与外部电路连接。

进一步，所述第一DBC板和第二DBC板的源极连接端与漏极连接端之间设置有内置MLCC电容。

进一步，所述功率MOSFET通过栅极邦线与栅极控制端连接，通过源极邦线与源极控制端连接。

进一步，所述双面DBC板上设置有独立的内置NTC，通过两个引脚连接到外部电路。

进一步，所述第一DBC板和第二DBC板上电极和器件采用中心对称分布的设置方式，将第一DBC板和第二DBC板隔断，成为对称的两个基板。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：