[实用新型]一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板有效

专利信息
申请号: 201821269860.5 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN208589440U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 周文定 申请(专利权)人: 成都赛力康电气有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/49;H01L23/498
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 邹敏菲
地址: 610219 四川省成都市中国(四川)自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 功率MOSFET 功率MOSFET模块 电力电子器件 栅极控制 并联 源极 尖峰脉冲信号 本实用新型 大电流应用 控制连接 输出端子 外部电路 外部连接 源极输出 控制端 上下桥 有效地 基板 压焊 烧毁
【权利要求书】:

1.一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:包括双面DBC板(1),DBC板分为与V0连接的第一DBC板(2)和第二DBC板(3),第一DBC板和第二DBC板上分别设置有与外部连接的压焊端子(4)和功率MOSFET模块(5),功率MOSFET模块中包括至少1组并联的2个功率MOSFET,每组功率MOSFET之间并联,每组的2个功率MOSFET的栅极分别与2个栅极控制端(6)连接,2个栅极控制端由外部电路控制连接,2个功率MOSFET的源极共同连接到1个源极控制端(7)和源极输出回路(8)。

2.根据权利要求1所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述第一DBC板和第二DBC板上分别至少设置有1个功率MOSFET模块。

3.根据权利要求1所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述栅极控制端和源极控制端在DBC板的两侧均设置有引出的外接端子(9),用于与外部电路连接。

4.根据权利要求1所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述第一DBC板和第二DBC板的源极连接端与漏极连接端之间设置有内置MLCC电容(10)。

5.根据权利要求1所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述功率MOSFET通过栅极邦线与栅极控制端连接,通过源极邦线与源极控制端连接。

6.根据权利要求1所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述双面DBC板上设置有独立的内置NTC(11),通过两个引脚连接到外部电路。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种用于电力电子器件MOS模块的DBC基板,其特征在于:所述第一DBC板和第二DBC板上电极和器件采用中心对称分布的设置方式,将第一DBC板和第二DBC板隔断,成为对称的两个基板。

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