[实用新型]一种半导体垂直打线结构有效
申请号: | 201821264947.3 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN208848858U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 黄晗;林正忠;陈彦亨;吴政达 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/49 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊垫 焊点 垂直 打线 垂直导电柱 打线结构 半导体 半导体芯片 本实用新型 打线工艺 虚拟 焊点处 前层 半导体芯片表面 电信号传输 分立设置 功能器件 导电层 平整度 损伤 剥离 芯片 基层 | ||
本实用新型提供一种半导体垂直打线结构,所述半导体垂直打线结构包括半导体芯片、打线焊垫、垂直导电柱及虚拟焊垫,其中,所述半导体芯片表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点,所述打线焊垫位于所述第一焊点处,与所述半导体芯片内部功能器件相连,所述垂直导电柱连接于所述打线焊垫表面,所述虚拟焊垫位于所述第二焊点处,用于为所述垂直导电柱的形成提供一切线平台。本实用新型通过对第二焊点增加虚拟焊垫,消除垂直打线中由于第二焊点在前层所产生的损伤,进而改善垂直打线工艺前层基层的平整度及产生剥离的风险,提高了芯片中每一导电层的电信号传输性能,并有助于提高垂直打线工艺的效率及精确度。
技术领域
本实用新型属于半导体封装领域,涉及一种半导体垂直打线结构。
背景技术
所有计算和通信系统都需要电力传输子系统。电力输送系统将电源的高电压转换为系统中分立设备所需的许多不同的低电压。在扇出封装中,连接所有层以传输功率信号的导线决定了信号传输损失的幅度。
现有的垂直打线工艺中,在第一焊点处进行打线,在第二焊点处进行切线,由于第二焊点处并无专属焊垫,第二焊点的切线动作是在前层PI/金属层上完成,会对前层造成损伤(damage),并形成多个凹坑。由于多个凹坑造成表面凹凸不平,在塑封成型(molding)之后,易形成大片剥离(peeling),会对芯片内部结构以及电性能产生影响;如损伤过深,会影响前层的平整度,导致电信号在该层传输时造成信号间断。
因此,如何提供一种半导体垂直打线结构,以消除垂直打线中由于第二焊点所产生的损伤,改善垂直打线工艺前层基层的平整度及产生剥离的风险,提高芯片中每一导电层的电信号传输性能及提高垂直打线工艺的效率及精确度,成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种半导体垂直打线结构,用于解决现有的垂直打线工艺影响前层基层的平整度导致塑封成型后产生剥离,且影响导电层的电信号传输性能的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种半导体垂直打线结构,包括:
半导体芯片,表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点;
打线焊垫,位于所述第一焊点处,与所述半导体芯片内部功能器件相连;
垂直导电柱,连接于所述打线焊垫表面;
虚拟焊垫,位于所述第二焊点处,用于为所述垂直导电柱的形成提供一切线平台。
可选地,所述虚拟焊垫的厚度范围是2~5μm。
可选地,所述虚拟焊垫的顶面面积大于所述劈刀的底面面积。
可选地,所述虚拟焊垫的顶面面积为所述劈刀的底面面积的1.1~1.5倍。
可选地,所述半导体芯片表面设有绝缘层,所述虚拟焊垫位于所述绝缘层表面,且与所述半导体芯片内部功能器件不相连。
可选地,所述垂直导电柱用于三维封装。
可选地,所述打线焊垫与所述虚拟焊垫的数量均为多个,且所述虚拟焊垫与所述打线焊垫一一对应。
可选地,所述打线焊垫与所述虚拟焊垫的数量均为多个,且至少有一个所述虚拟焊垫对应于多个所述打线焊垫。
可选地,所述虚拟焊垫的形状包括圆形、方形中的任意一种。
如上所述,本实用新型的半导体垂直打线结构,具有以下有益效果:本实用新型的半导体垂直打线结构对第二焊点增加虚拟焊垫,消除垂直打线中由于第二焊点在前层所产生的损伤,进而改善垂直打线工艺前层基层的平整度及产生剥离的风险,提高了芯片中每一导电层的电信号传输性能,并有助于提高垂直打线工艺的效率及精确度。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造