[实用新型]一种半导体垂直打线结构有效
| 申请号： | 201821264947.3 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208848858U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄晗;林正忠;陈彦亨;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊垫 焊点 垂直 打线 垂直导电柱 打线结构 半导体 半导体芯片 本实用新型 打线工艺 虚拟 焊点处 前层 半导体芯片表面 电信号传输 分立设置 功能器件 导电层 平整度 损伤 剥离 芯片 基层 | ||
1.一种半导体垂直打线结构，其特征在于，包括：
半导体芯片，表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点；
打线焊垫，位于所述第一焊点处，与所述半导体芯片内部功能器件相连；
垂直导电柱，连接于所述打线焊垫表面；
虚拟焊垫，位于所述第二焊点处，用于为所述垂直导电柱的形成提供一切线平台。
2.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述虚拟焊垫的厚度范围是2～5μm。
3.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述虚拟焊垫的顶面面积大于切线时所用劈刀的底面面积。
4.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述虚拟焊垫的顶面面积为切线时所用劈刀的底面面积的1.1～1.5倍。
5.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述半导体芯片表面设有绝缘层，所述虚拟焊垫位于所述绝缘层表面，且与所述半导体芯片内部功能器件不相连。
6.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述垂直导电柱用于三维封装。
7.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述打线焊垫与所述虚拟焊垫的数量均为多个，且所述虚拟焊垫与所述打线焊垫一一对应。
8.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述打线焊垫与所述虚拟焊垫的数量均为多个，且至少有一个所述虚拟焊垫对应于多个所述打线焊垫。
9.根据权利要求1所述的半导体垂直打线结构，其特征在于：所述虚拟焊垫的形状包括圆形、方形中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
