[实用新型]用于半导体功率器件的终端

说明书

本实用新型提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个环状的场限环以及多个与所述场限环对应的金属场板，所述场限环之间间隔设置，相邻两个所述场限环之间的间距相等，所述场限环包括多个主弯曲部和多个主平直部，所述主弯曲部位于相邻两个主平直部之间，所述主弯曲部的宽度沿所述主弯曲部的中间向其两侧递减，所述场限环的所述主弯曲部的宽度大于对应的场限环的所述主平直部的宽度；沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度递增。本实用新型的用于半导体功率器件的终端，能够减小拐角处的电场尖峰以及提高半导体功率器件的稳定性及可靠性。

【技术领域】

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种用于半导体功率器件的终端。

【背景技术】

用于半导体功率器件的终端(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它同时具有单极性器件和双极性器件的优点，其驱动电路简单、控制电路功耗和成本低、通态压降低，成为目前主流的半导体器件功率之一。

然而，由于IGBT的终端的场限环和场板均为环形结构，也即在芯片的四个拐角都为弯曲状，因此在芯片的四个拐角存在曲率效应，由于曲率效应使得拐角处的电场尖峰相比其它位置大，从而降低了芯片的终端特性。

因此，有必要提供一种用于半导体功率器件的终端，以解决现有技术所存在的问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体功率器件的终端，能够减小拐角处的电场尖峰以及提高半导体功率器件的稳定性及可靠性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种用于半导体功率器件的终端，其包括：

集电极、基区、多个环状的场限环以及多个与所述场限环对应的金属场板，所述场限环之间间隔设置，相邻两个所述场限环之间的间距相等，所述场限环包括多个主弯曲部和多个主平直部，所述主弯曲部位于相邻两个主平直部之间，所述主弯曲部的宽度沿所述主弯曲部的中间向其两侧递减，所述场限环的所述主弯曲部的宽度大于对应的场限环的所述主平直部的宽度；沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度递增；

所述金属场板也具有最大宽度和最小宽度，所述金属场板的最大宽度与所述金属场板的最小宽度之间的差值位于第二预设范围内。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，所述金属场板的形状也为环状，所述金属场板之间间隔设置，相邻两个所述金属场板之间的间距相等，所述金属场板包括多个次弯曲部和多个次平直部，所述次弯曲部位于相邻两个所述次平直部之间，所述次弯曲部的宽度沿所述次弯曲部的中间向两侧递减，所述次弯曲部的宽度大于所述次平直部的宽度，沿靠近所述金属场板的几何中心侧向远离所述金属场板的几何中心侧的次弯曲部的宽度递增。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，相邻两个所述场限环的主弯曲部的宽度之间的差值相等。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的弯曲宽度差依次增大，所述弯曲宽度差为相邻两个所述场限环的主弯曲部的宽度之间的差值。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度按照所述主平直部的宽度的1.8倍、2倍、2.2倍、2.5倍依次增大。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，所述场限环具有最大宽度和最小宽度，所述场限环的最大宽度与所述场限环的最小宽度之间的差值位于第一预设范围内。

在本实用新型的用于半导体功率器件的终端中，所述场限环的最大宽度是所述场限环的最小宽度的1.5-2.5倍。