[实用新型]用于半导体功率器件的终端有效
| 申请号： | 201821239410.1 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208478341U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 缪志平 | 申请（专利权）人： | 盛廷微电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 刘汉民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场限环 半导体功率器件 主弯曲部 平直部 终端 本实用新型 几何中心 侧向 电场尖峰 间隔设置 间距相等 金属场板 弯曲部位 拐角处 集电极 基区 减小 递减 递增 | ||
1.一种用于半导体功率器件的终端，其特征在于，包括：
集电极、基区、多个环状的场限环以及多个与所述场限环对应的金属场板，所述场限环之间间隔设置，相邻两个所述场限环之间的间距相等，所述场限环包括多个主弯曲部和多个主平直部，所述主弯曲部位于相邻两个主平直部之间，所述主弯曲部的宽度沿所述主弯曲部的中间向其两侧递减，所述场限环的所述主弯曲部的宽度大于对应的场限环的所述主平直部的宽度；沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度递增；
所述金属场板也具有最大宽度和最小宽度，所述金属场板的最大宽度与所述金属场板的最小宽度之间的差值位于第二预设范围内。
2.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述金属场板的形状也为环状，所述金属场板之间间隔设置，相邻两个所述金属场板之间的间距相等，所述金属场板包括多个次弯曲部和多个次平直部，所述次弯曲部位于相邻两个所述次平直部之间，所述次弯曲部的宽度沿所述次弯曲部的中间向两侧递减，所述次弯曲部的宽度大于所述次平直部的宽度，沿靠近所述金属场板的几何中心侧向远离所述金属场板的几何中心侧的次弯曲部的宽度递增。
3.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，相邻两个所述场限环的主弯曲部的宽度之间的差值相等。
4.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的弯曲宽度差依次增大，所述弯曲宽度差为相邻两个所述场限环的主弯曲部的宽度之间的差值。
5.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，沿靠近所述场限环的几何中心侧向远离所述场限环的几何中心侧的主弯曲部的宽度按照所述主平直部的宽度的1.8倍、2倍、2.2倍、2.5倍依次增大。
6.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述场限环具有最大宽度和最小宽度，所述场限环的最大宽度与所述场限环的最小宽度之间的差值位于第一预设范围内。
7.根据权利要求6所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述场限环的最大宽度是所述场限环的最小宽度的1.5-2.5倍。
8.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述主弯曲部沿所述主弯曲部的中间向其一侧具有至少三个宽度递减的弯曲段。
9.根据权利要求8所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述主弯曲部沿所述主弯曲部的中间向其一侧具有四个宽度递减的弯曲段，所述四个弯曲段的宽度按照预设规则进行减小。
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