[实用新型]功率电子组件有效
| 申请号: | 201821238528.2 | 申请日: | 2018-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN208589412U | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
| 发明(设计)人: | H·U·萨格鲍姆 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 韩国胜 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第二表面 功率半导体元件 功率电子组件 表面轮廓 第一表面 粗糙度 粘附层 基板 表面相对 面向基板 | ||
提出了一种功率电子组件,其具有基板、具有功率半导体元件和设置在它们之间的粘附层,其中基板具有面向功率半导体元件的第一表面,其中功率半导体元件具有面向基板的第三表面,其中粘附层具有第二表面,该第二表面接触第三表面并且具有第一一致的表面轮廓,该第一一致的表面轮廓具有第一粗糙度,并且其中功率半导体元件的与第三表面相对的第四表面具有第二表面轮廓,该第二表面轮廓具有第二粗糙度,所述第二表面轮廓遵循第一表面轮廓。
技术领域
本实用新型涉及一种功率电子组件,所述功率电子组件具有基板、具有功率半导体元件和设置在它们之间的粘附层。本实用新型还描述了一种用于配置这种类型的功率电子组件的方法。
背景技术
当前从通常已知的现有技术中获知的是:粘附层通过各种方法设置在基板上,例如通过丝网印刷或模版印刷。此后,特别是配置为功率半导体元件的配合部件设置在粘附层上。取决于附加层的设计实施例,还执行进一步的工业标准方法步骤,以便最终在基板和功率半导体元件之间配置材料一体连接。工业标准方法特别是焊接、粘附剂粘结和加压烧结方法。
材料一体连接的耐久性不足,特别是在温度波动下耐久性不足,是常见的缺点。
实用新型内容
注意到所述情况,本实用新型的目的在于提供一种功率电子组件,其中改善了材料一体连接的耐久性。
根据本实用新型,该目的通过如下所述的功率电子组件来实现。
根据本实用新型的功率电子组件配置为具有基板、具有功率半导体元件和设置在它们之间的粘附层,其中基板具有面向功率半导体元件的第一表面,其中功率半导体元件具有面向基板的第三表面,其中粘附层具有第二表面,该第二表面优选地跨整个区域接触第三表面并且具有第一一致的表面轮廓,该第一一致的表面轮廓具有第一粗糙度,并且其中功率半导体元件的与第三表面相对的第四表面具有第二表面轮廓,该第二表面轮廓具有第二粗糙度,所述第二表面轮廓遵循第一表面轮廓。在本文和下文中术语轮廓应理解为两个“轮廓”具有相同类型的三维结构,其中结构的高度不必相同。术语“粗糙度”在本文和下文中应理解为根据DIN 4760的平均粗糙度Ra。以这种方式配置的功率电子组件具有显著的优点,即第二和第三表面之间的连接得到显著改善。这是由于三维特性与结构的细度因此与粗糙度相结合所导致的。
本实用新型提供一种功率电子组件,其具有基板、具有功率半导体元件和设置在它们之间的粘附层,其中基板具有面向功率半导体元件的第一表面,其中功率半导体元件具有面向基板的第三表面,其中粘附层具有第二表面,该第二表面接触第三表面并且具有第一一致的表面轮廓,该第一一致的表面轮廓具有第一粗糙度,并且其中功率半导体元件的与第三表面相对的第四表面具有第二表面轮廓,该第二表面轮廓具有第二粗糙度,所述第二表面轮廓遵循第一表面轮廓。
在如上所述的功率电子组件中,第二粗糙度的值可以在第一粗糙度的值的50%和100%之间。
在如上所述的功率电子组件中,第二粗糙度的值可以在第一粗糙度的值的85%和99%之间。
在如上所述的功率电子组件中,第二粗糙度的值可以在第一粗糙度的值的95%和99%之间。
在如上所述的功率电子组件中,第一粗糙度可以被配置成以一致或不一致的方式从功率半导体元件的中心朝向外部变化。
在如上所述的功率电子组件中,在功率半导体元件的中心限定的粘附层的第一平均厚度可以在10μm和200μm之间。
在如上所述的功率电子组件中,在功率半导体元件的中心限定的粘附层的第一平均厚度可以在20μm和100μm之间。
在如上所述的功率电子组件中,在功率半导体元件的中心限定的粘附层的第一平均厚度可以在10μm和30μm之间,或在50μm和80μm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





