[实用新型]光电转换阵列基板及光电转换装置

说明书

本实用新型提供了一种光电转换阵列基板及光电转换装置，所述光电转换阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的薄膜晶体管，包括栅极、设置于栅极上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的有源层及位于有源层上的源极和漏极；位于衬底基板上的光电检测单元，包括位于衬底基板上的信号输出电极、光敏层和透光电极，信号输出电极与漏极电连接；源极和漏极上覆盖有第一保护层，在第一保护层上设有遮光层，遮光层在衬底基板上的正投影至少覆盖住有源层在衬底基板上的正投影。本实用新型提供的光电转换阵列基板及光电转换装置可改善元器件TFT开关电路光感特性，减小漏电流，提高光电检测的成像精度，避免成像时造成误判。

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，尤其涉及一种光电转换阵列基板及光电转换装置。

背景技术

X射线检测广泛应用于医疗、安全、无损检测、科研等领域，在国计民生中日益发挥着重要作用。目前，比较常见的X射线检测技术是20世纪90年代末出现的X射线数字照相(X-Ray Digital Radiography，XDR)检测技术。XRD传感器技术对成像精度要求很高，微弱的漏电流就会影响成像质量，造成误判。

目前XRD传感器的光电转换阵列基板包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)开关及光电检测单元，光电检测单元包括透明电极、信号输出电极及位于透光电极和信号输出电极之间的光敏层，在X射线照射下，光敏层中闪烁体层与荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号，薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。

现有的光电转换阵列基板中，元器件TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)开关对光照影响敏感，而XRD传感器就是通过光照改变光电检测单元的电流，进而进行积分成像，因此，光照影响TFT开关产生的漏电流会影响光电检测单元，进而影像成像精度。

在现有技术中，通过在薄膜晶体管上方设置遮光层，来对薄膜晶体管进行遮光，防止光照影响TFT开关而产生漏电流，但是，现有技术中，遮光层与薄膜晶体管之间距离较远，遮光效果不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光电转换阵列基板及光电转换装置，可有效改善元器件TFT开关电路光感特性，减小漏电流，进而提高光电检测的成像精度，避免成像时造成误判。

本实用新型所提供的技术方案如下：

一种光电转换阵列基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的有源层及位于所述有源层上的源极和漏极；

及，位于所述衬底基板上的光电检测单元，所述光电检测单元包括位于所述衬底基板上的信号输出电极、位于所述信号输出电极上的光敏层、及位于所述光敏层上的透光电极，所述信号输出电极与所述漏极电连接；

所述源极和所述漏极上覆盖有第一保护层，在所述第一保护层上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖住所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

进一步的，所述信号输出电极不透光，且所述信号输出电极与所述遮光层为同层且同材料设置。

进一步的，所述信号输出电极与所述遮光层连为一体结构。

进一步的，所述第一保护层的一部分覆盖于所述源极和所述漏极上，并在与所述漏极对应的位置设置第一过孔；

所述第一保护层的另一部分覆盖于所述栅极绝缘层上，所述光电检测单元设置在所述第一保护层的覆盖于所述栅极绝缘层的部分上，且所述信号输出电极通过所述第一过孔与所述漏极电连接。

进一步的，所述光电检测单元和所述薄膜晶体管上还覆盖有平坦层；